公开(公告)号：CN1484778A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821646.3

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔峻厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN1290922A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底,外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘,外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器,并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线,并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。

公开(公告)号：CN102827611A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210102583.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 郑钟铉 ,  金善一 ,  朴智荣 ,  金湘甲 ,  宋溱镐 ,  崔新逸 ,  权五柄 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  李昔准 ,  林玟基 ,  张尚勋 ,  秦荣晙

IPC: C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。

公开(公告)号：CN1873530B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200610088744.9

申请日：2006-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡钟哲 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  昔俊亨 ,  皇甫尚佑 ,  张元基 ,  李羲国 ,  尹铢浣 ,  金洙真

IPC: G03F1/32 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。

公开(公告)号：CN101431065B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810174806.7

申请日：2008-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨东周 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  李基晔 ,  丁有光 ,  崔升夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。

公开(公告)号：CN1790750B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及一种显示设备及其制造方法，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极、栅极绝缘层、沟道图案、源电极和漏电极。沟道图案包括：形成在栅电极上并覆盖栅电极的半导体图案；形成在半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。源电极包括顺序形成在第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。漏电极包括顺序形成在第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案、第二覆盖图案、源极图案和漏极图案的端部包括倾斜的截面轮廓。第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属，第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。

公开(公告)号：CN1767175B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200510102853.7

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  柳慧英 ,  金湘甲 ,  金彰洙

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。

公开(公告)号：CN101881914A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010210445.4

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN101527307A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910126213.8

申请日：2009-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦洪基 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  丁有光 ,  崔升夏 ,  杨东周

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：形成在衬底上并包括栅电极的栅极线；形成在衬底的具有栅极线的表面上的半导体层；数据线，所述数据线形成在半导体层上，与栅极线绝缘地相交，并且包括设置在栅电极上的源电极；漏电极，所述漏电极通过沟道与源电极分离，设置在栅电极上，并由与数据线的层相同的层形成；钝化层，所述钝化层形成在数据线和漏电极上，并具有暴露漏电极的第一接触孔；和像素电极，所述像素电极形成在钝化层上，并通过第一接触孔接触漏电极。数据线和漏电极可以包括第一层和形成在第一层上的第二层，第一层的平坦边缘从第二层的平坦边缘突出，并且第一层通过干蚀刻形成，而第二层通过湿蚀刻形成。

公开(公告)号：CN101431065A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810174806.7

申请日：2008-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨东周 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  李基晔 ,  丁有光 ,  崔升夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。