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公开(公告)号：CN1776513A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125432.6
申请日：2005-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。
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公开(公告)号：CN1748318A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003672.2
申请日：2004-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/78669 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908
Abstract: 本发明公开了一种LCD装置的薄膜晶体管基片及其制造方法。该薄膜晶体管基片包括形成在含有硅的绝缘层图样上的镍－硅化物层及在镍－硅化物层上形成的金属层。将镍涂布在含有硅的绝缘层图样并且将金属层涂布在镍涂布层上。然后，在大约200～350℃的温度下进行热处理以获得镍－硅化物层。由于通过应用镍－硅化物布线制造LCD装置的薄膜晶体管基片，所以可以获得具有低电阻率且具有良好欧姆接触特性的装置。
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公开(公告)号：CN1714431A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200380103627.X
申请日：2003-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H01L27/00 , G02F1/136 , G02F1/1345 , C22F1/08 , C22C9/10
CPC classification number: H01L29/4908 , C22C9/00 , G02F1/133345 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 提供一种用于LCD装置的TFT基板及其制造方法。基板(10)、扩散阻挡层(11)和铜合金层(12)相继形成在TFT基板上。铜合金包括约0.5at％至约15at％的一种材料从而形成栅极布线层。该材料用于形成扩散阻挡层(11)。包括诸如Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等的材料的化合物沉积在扩散阻挡层(11)上至约50至约5,000的厚度。然后所沉积的化合物被热处理从而将所沉积的化合物转变为硅化物化合物(11b)。该晶体管基板具有低电阻和高电导。另外，利用薄扩散阻挡层，蚀刻工艺被简化并且相互扩散被防止。
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公开(公告)号：CN1623236A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828517.4
申请日：2002-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28008 , G03F7/0047 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L51/0003 , H01L51/0015 , H01L51/0021 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及一种金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法，通过涂布含金属的有机金属络合物形成有机金属层。通过光掩模将该有机金属层曝光，并且显像以形成金属图案。
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