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公开(公告)号：CN100557811C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件的制造方法，包括在第一导电型的半导体衬底上，形成多条平行字线和填充所述字线之间间隙区的字线隔离层，所述字线形成以具有与所述第一导电型不同的第二导电型并且具有平的顶表面；在所述字线和字线隔离层上形成上成型层，构图所述上成型层以形成暴露所述字线预定区的多个上开口；在所述上开口内顺序形成第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案形成以具有所述第一导电型或第二导电型，并且所述第二半导体图案形成以具有第一导电型；并且分别在所述第二半导体图案上方形成多个相变材料图案，所述相变材料图案分别电连接到所述第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN100524522C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510004106.X
申请日：2005-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/04 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/404
Abstract: 一种非易失性存储设备，包括：一条位线、一对数据线和多个可伸缩双晶体管存储(STTM)单元。该存储单元在一对数据线间排列，以便共享位线。该存储单元还包括一个数据线选择电路和一个感测放大电路。数据线选择电路选择一对数据线中的一个，感测放大电路对位线和选择的数据线间的电压差进行感测和放大。增加了操作速度，同时改进了设备单元阵列结构。
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公开(公告)号：CN101350225A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810215428.2
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028
Abstract: 一种非易失性存储装置包括非易失性存储单元、读取电路和控制偏置生成电路。非易失性存储单元具有依赖于所存储的数据而变化的电阻值。读取电路通过接收控制偏置并基于控制偏置为非易失性存储单元提供读取偏置，来读取非易失性存储单元的电阻值。控制偏置生成电路接收输入偏置，基于输入偏置生成控制偏置，并提供控制偏置给读取电路。控制偏置对输入偏置的斜率小于1。
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公开(公告)号：CN101192446A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196653.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/20
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 公开了一种驱动多电平可变电阻存储装置的方法。驱动多电平可变电阻存储装置的方法包括：提供写电流给可变电阻存储器，以便改变可变电阻存储单元的电阻；验证改变的电阻是否进入预定的电阻窗；以及提供具有从基于验证结果最近提供的写电流增加或减小的量的写电流，以便改变可变电阻存储单元的电阻。
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公开(公告)号：CN1933023A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610132291.5
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C7/1078 , G11C7/1096 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 相变存储装置，包括具有相变材料的存储单元、适于在编程间隔期间向存储单元供应编程电流的写入驱动器；以及适于在编程间隔期间增强写入驱动器的电流供应能力的泵电路。泵电路响应于外部控制信号在编程间隔期间之前激活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921004A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121875.2
申请日：2006-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性存储器件，其包括：公用线；第一写入二极管、读取二极管和第二写入二极管，并联连接到该公用线上。该磁性存储器件还包括：磁性隧道结结构，连接到该读取二极管上；第一和第二写入导体，设置在该磁性隧道结结构的两侧，并分别连接到该第一和第二写入二极管上；和第一写入线、读取线和第二写入线，其分别连接到该第一写入导体、该磁性隧道结结构和该第二写入导体上。
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公开(公告)号：CN1897156A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105889.5
申请日：2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/145 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/009
Abstract: 一个方面的一种相变存储器件包括：包含多个相变存储单元的存储阵列；写升压电路；和写驱动器。写升压电路在第一操作模式中响应于控制信号升高第一电压并且输出第一控制电压，并且在第二操作模式和第三操作模式中响应于控制信号升高第一电压并输出第二控制电压。在第一操作模式中，写驱动器由第一控制电压驱动，并且将数据写到存储阵列的所选存储单元中。
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公开(公告)号：CN1838321A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610071461.3
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C11/4193 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
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公开(公告)号：CN1832190A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009594.8
申请日：2006-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN1574092A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046553.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。
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