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公开(公告)号：CN102855933B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201210096200.2
申请日：2012-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K19/17704 , H03K19/17728 , H03K19/17736 , H03K19/1776
Abstract: 本申请提供一种可以快速重新配置以执行期望的操作的逻辑器件。所述逻辑器件包括：第一功能块，用于根据第一操作信息执行第一操作以及根据第二操作信息执行第二操作；以及第二功能块，用于根据第一操作信息执行第三操作以及根据第二操作信息执行第四操作。第一功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第一操作或者第二操作。第二功能块接收配置信息，基于配置信息选择第一操作信息和第二操作信息中的一个，以及基于所选择的第一操作信息或者第二操作信息执行第三操作或者第四操作。
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公开(公告)号：CN103117090B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201210454111.0
申请日：2012-11-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔市立大学校产学协力团
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/34 , G11C16/3404
Abstract: 本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。
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公开(公告)号：CN103915488B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410120822.3
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/66 , H01F10/193 , H01F10/32 , B82Y25/00
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F10/1936 , H01F10/3254
Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。
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公开(公告)号：CN102237401B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110113377.4
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28008 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷，多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层，也是用于提供沟道的层。
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公开(公告)号：CN102543153B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110277504.4
申请日：2011-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/04 , G11C7/062 , G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0016 , G11C13/0021 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2207/002
Abstract: 一种半导体器件和读出半导体器件的数据的方法，该半导体器件包括：存储单元阵列，包括布置在至少一条位线和至少一条字线交叉之处的区域中的至少一个存储单元；和读出单元，读出存储在该至少一个存储单元中的数据，其中该读出单元包括：连接控制单元，根据具有可变电压电平的控制信号和该至少一条位线的电压电平控制该至少一条位线和读出线之间的连接；和读出放大单元，比较读出线的电压与参考电压并且读出存储在至少一个存储单元中的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280992B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110113535.6
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。
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公开(公告)号：CN103368548A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210460112.6
申请日：2012-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K3/00 , G05F3/02 , H01L2924/0002 , H03K17/06 , H01L2924/00
Abstract: 分别包含保护设备的高边栅极驱动器、开关芯片、以及供电设备被提供。所述高边栅极驱动器包括：第一低电平驱动电源，被提供以切断高边常开开关；以及保护设备和第一开关设备，被串联连接在第一低电平驱动电源和高边常开开关的栅极之间。所述供电设备包含高边栅极驱动器。另外，所述开关芯片包括通过使用相同结构实现的高边常开开关、附加常开开关、以及低边常开开关。
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公开(公告)号：CN103311901A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210567006.8
申请日：2012-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02H7/20
CPC classification number: H02H9/02 , H01L2924/0002 , H03K17/165 , H03K17/56 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括漏电流保护电路的功率模块，其中所述功率模块包括功率器件及其外围部件，其中所述外围部件包括控制块、栅极驱动器、CMOS和漏电流保护电路，所述漏电流保护电路的输入端子连接到所述功率部件，输出端子连接到所述控制块，其中所述漏电流保护电路包括多个NMOS晶体管、连接到所述多个NMOS晶体管的多个PMOS晶体管以及比较器，所述比较器的两个输入端子分别连接到将所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管相连的两个导线，输出端子连接到所述控制块。
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公开(公告)号：CN103117090A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210454111.0
申请日：2012-11-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔市立大学校产学协力团
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/34 , G11C16/3404
Abstract: 本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。
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公开(公告)号：CN103000220A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210324904.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L29/78684 , G11C29/12005
Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。
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