公开(公告)号：CN103117090B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201210454111.0

申请日：2012-11-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔市立大学校产学协力团

Inventor： 金镐正 ,  崔仲镐 ,  申在光 ,  崔贤植

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3404

Abstract: 本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。

公开(公告)号：CN103117090A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210454111.0

申请日：2012-11-13

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔市立大学校产学协力团

Inventor： 金镐正 ,  崔仲镐 ,  申在光 ,  崔贤植

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3404

Abstract: 本申请提供一种具有改善的可靠性的多值逻辑器件，包括：转换单元，被配置成把多级信号转换为多个部分信号；和多个非易失性存储器件，被配置成分别存储所述多个部分信号，其中，被分别存储在所述多个非易失性存储器件中的所述多个部分信号中的每一个的比特数均小于所述多级信号的比特数。

公开(公告)号：CN104600966A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601840.3

申请日：2014-10-31

Applicant: 三星电机株式会社 ,  首尔市立大学校产学协力团

Inventor： 车霜贤 ,  朴得熙 ,  李演重 ,  崔仲镐 ,  柳济贤 ,  刘弦宣 ,  李昌锡

IPC: H02M1/088 ,  H02M3/335

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02M3/33507 ,  H03K17/687 ,  H02M1/088 ,  H02M3/33515 ,  H02M3/33523

Abstract: 公开了一种栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备。栅极驱动电路可包括：偏置单元，接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号，包括第一N-MOSFET和第一P-MOSFET，并且偏置单元通过第一N-MOSFET和第一P-MOSFET的导通供应偏置功率；放大单元，包括第二N-MOSFET和第二P-MOSFET，其中，第二N-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设高电平时导通的第一N-MOSFET供应的偏置功率而导通，第二P-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设低电平时导通的第一P-MOSFET供应的偏置功率而导通，并且放大单元根据第二N-MOSFET和第二P-MOSFET的导通提供栅极信号。