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公开(公告)号：CN102479556B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201110363250.8
申请日：2011-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5642 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C16/26
Abstract: 在一个实施例中，一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法包括基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。
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公开(公告)号：CN102290105B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110056113.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/56 , G11C11/5628 , G11C14/0018 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
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公开(公告)号：CN101625896B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN200910158752.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/20
Abstract: 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。
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公开(公告)号：CN103971739A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410045093.X
申请日：2014-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/22
Abstract: 一种存储系统及其编程方法。存储系统包括：非易失性存储设备；以及存储控制器，被配置为控制所述非易失性存储设备，使得通过第一编程模式和第二编程模式中的一个对与所述非易失性存储设备的所选择的行相连接的存储单元进行编程。在所述第一编程模式，将数目与最大页数目相对应的多个逻辑页存储在所述存储单元；以及在所述第二编程模式，使用与在所述第一编程模式中使用的不同的偏置条件将数目小于所述最大页数目的一个或多个逻辑页存储在所述存储单元。
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公开(公告)号：CN101174457B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710199906.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种包括多个存储块的闪存器件。在多个存储块中的被选存储块包括2n页数据。该被选存储块包括能够存储不同数目的位的不同类型存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543186A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110430447.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C5/14 , G11C5/143 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/3459 , G11C2211/5641
Abstract: 一种负电压生成器包括：直流电压生成器，其被配置成生成直流电压；参考电压生成器，其被配置成生成参考电压；振荡器，其被配置成生成振荡时钟；电荷泵，其被配置成响应于泵时钟生成负电压；以及电压检测器。该电压检测器被配置成通过比较分压电压和参考电压来检测负电压，并基于振荡时钟生成与检测的负电压相对应的泵时钟，其中该分压电压是通过对所述直流电压分压得到的。
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公开(公告)号：CN1909111B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610008628.1
申请日：2006-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5671
Abstract: 此处，公开了一种电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及其驱动方法。该电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器元件，每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中；以及页缓冲器，驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组。该电荷捕获型非易失性存储器器件具有电荷捕获区，每个电荷捕获区存储1.5个数据位。即，单个的存储器元件具有用于存储3个数据位的电荷捕获区，从而改善了器件的集成度，同时维持了在编程和读取操作期间的较高的操作速度。
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公开(公告)号：CN101206923A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710199847.7
申请日：2007-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2216/14
Abstract: 非易失性存储器件具有多层单元(MLC)，该MLC被编程，使得一页被写入具有与至少一个先前页对应的先前状态的MLC中。非易失性存储器件包括：存储单元阵列、行选择电路和页缓冲器块。存储单元阵列包括共同耦合到选择的字线并且分别耦合到位线的MLC。行选择电路将顺序减小的读电压施加到选择的字线，从而读取MLC的先前状态，并且，将顺序减小的验证电压施加到选择的字线，以便从具有最高阈值电压的状态到具有最低阈值电压的状态，顺序对MLC的状态进行编程。页缓冲器块装入与一页对应的数据，并且根据每个先前状态和装入数据的每一位控制位线电压。
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公开(公告)号：CN101202105A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710305769.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3454 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种快闪存储器件，包括每个单元均能储存不同位数的存储单元阵列。该快闪存储器件的页缓冲器电路包括多个页缓冲器，每个页缓冲器在存储单元的编程、擦除和读取操作期间运行。控制逻辑单元根据储存在相应存储单元中的位数控制页缓冲器的功能。
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