公开(公告)号：CN107039424B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN103996640B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201410056849.0

申请日：2014-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  韩政男 ,  权奇相 ,  尹斗圣 ,  崔源尚

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。

公开(公告)号：CN107706094A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710665594.1

申请日：2017-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  高镛璇 ,  黄寅奭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856 ,  H01L21/0274

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。

公开(公告)号：CN104752508A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410768392.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  全夏英 ,  赵炳权 ,  韩政男

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。

公开(公告)号：CN103996640A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410056849.0

申请日：2014-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  韩政男 ,  权奇相 ,  尹斗圣 ,  崔源尚

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供了化学品供给器，用于进行湿处理的装置和方法。所述化学品供给器包括：化学品储存器，所述化学品储存器容纳处于室温的化学品混合物，所述化学品储存器的内部空间与环境隔离；供给线，通过所述供给线将所述化学品混合物从所述化学品储存器供给至处理室；在线加热器，所述在线加热器位于所述供给线上并且将在所述供给线中的所述化学品混合物加热至处理温度；和动力源，所述动力源驱动所述化学品混合物，以使所述化学品混合物向所述处理室移动。

公开(公告)号：CN1967807A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610144710.7

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  因菲尼奥恩技术股份公司

Inventor： 朴相真 ,  张钟光 ,  李锡圭 ,  洛瑟·多尼

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种集成电路晶体管的制造方法。在集成电路晶体管的制造过程中，构图的抗反射涂层可以被用作选择性的注入阻挡层。具体而言，该抗反射涂层可以被用作栅侧壁间隔物来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。另外，当制造集成电路晶体管的源极和漏极延伸区以及源极区和漏极区时，可以使用单个掩模。