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公开(公告)号：CN106967045B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201610903038.9
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D345/00 , C07D517/22 , C09K11/06 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 公开杂并苯化合物的中间体、使用其的杂并苯化合物的合成方法和包括杂并苯化合物的电子器件。所述杂并苯化合物的中间体由化学式1表示。在化学式1中，各参数与说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN111261776A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911105387.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备，所述有机薄膜包括由化学式1A和1B之一表示的第一化合物和不同于所述第一化合物且由化学式2A和2B之一表示的第二化合物，其中，在化学式1A、1B、2A、和2B中，X11、X12、X21、X22、Ar1、Ar2、R11-R14、R21-R24、n1和n2如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN103467489B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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公开(公告)号：CN102584851B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210001830.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/06 , C07D513/06 , C08G61/12 , H01L51/30 , H01L51/05
CPC classification number: C07D495/04 , C07D513/04 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , C09B57/001 , C09B69/109 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及有机半导体化合物和聚合物及包括其的晶体管和电子器件。示例性实施方式涉及由本文中化学式1表示的有机半导体化合物，其可聚合和用于晶体管和电子器件中。所述有机半导体化合物包括四个稠合苯环的基础结构，其中官能团R1～R3与第一个苯环连接且官能团R4～R6与第二个苯环连接。该基础结构的第三以及第四个苯环分别与X1、X2以及X3、X4连接。X1和X2的至少一个为硫原子。X3和X4的至少一个为硫原子。该基础结构进一步包含官能团R7和R8。
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公开(公告)号：CN103730575A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103467489A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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公开(公告)号：CN112645944B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202011077898.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , H10K30/60 , H10K39/32 , H10K85/60
Abstract: 公开了化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物具有化学式1。在化学式1中，各基团和参数的定义如具体实施方式中所描述的。[化学式1]#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN118695734A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410329218.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/35 , G06V10/147 , G06V40/00 , H10K65/00 , H10K59/40 , H10K59/12 , G09G3/3225
Abstract: 公开了显示面板、电子设备和操作电子设备的方法。所述显示面板可包括：基板；第一、第二和第三发光二极管，所述第一、第二和第三发光二极管在所述基板上并分别配置成发射可见光波长谱中的第一、第二和第三波长谱的光；以及第一、第二和第三发光二极管，所述第一、第二和第三发光二极管分别沿所述基板的厚度方向与所述第一、第二和第三发光二极管重叠。所述第一、第二、第三有机光电转换二极管各自可配置成选择性地吸收可见光波长谱的一部分并将被吸收的光转换成电信号。
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公开(公告)号：CN117956861A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311412371.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K101/40
Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板、传感器和电子设备。所述显示面板可包括在基板上的包括光发射层的光发射元件和包括光敏层的传感器。所述光发射元件和所述传感器各自可包括第一和第二公共辅助层的相应的部分，所述第一和第二公共辅助层可作为单块材料在所述光发射层和所述光敏层下面和上面连续地形成。所述第一和第二公共辅助层分别可包括空穴传输材料和电子传输材料。所述光敏层可包括分别靠近于所述第一和第二公共辅助层的第一和第二半导体层。所述第一和第二半导体层分别可包括p型半导体和n型半导体。所述第二半导体层可具有面对所述第二公共辅助层的不均匀表面并且可具有大于或等于约5nm的平均粗糙度(Rq)。
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公开(公告)号：CN111261776B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911105387.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备，所述有机薄膜包括由化学式1A和1B之一表示的第一化合物和不同于所述第一化合物且由化学式2A和2B之一表示的第二化合物，其中，在化学式1A、1B、2A、和2B中，X11、X12、X21、X22、Ar1、Ar2、R11‑R14、R21‑R24、n1和n2如说明书中所定义。#imgabs0#
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