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公开(公告)号：CN106478952B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610754147.9
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/20 , C08G77/398 , H01L51/10 , H01G4/14
Abstract: 公开组合物、电子器件、薄膜晶体管、和电容器。所述组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩聚产物之间的缩合反应的产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，所述电子器件、所述薄膜晶体管和所述电容器包括所述组合物的固化材料。化学式1
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公开(公告)号：CN105646883A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510862159.9
申请日：2015-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物、电子器件和薄膜晶体管。组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，电子器件和薄膜晶体管包括所述组合物的经固化材料。化学式1。
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公开(公告)号：CN106478952A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610754147.9
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/20 , C08G77/398 , H01L51/10 , H01G4/14
CPC classification number: C08F130/08 , C08G77/14 , C08G77/20 , C08G77/442 , C08G83/001 , C09D183/10 , H01B3/46 , H01G4/14 , H01L51/004 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0537
Abstract: 公开组合物、电子器件、薄膜晶体管、和电容器。所述组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩聚产物之间的缩合反应的产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，所述电子器件、所述薄膜晶体管和所述电容器包括所述组合物的固化材料。化学式1。
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公开(公告)号：CN105646883B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510862159.9
申请日：2015-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物、电子器件和薄膜晶体管。组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，电子器件和薄膜晶体管包括所述组合物的经固化材料。化学式1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556428A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L27/12 , H01L27/28
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
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公开(公告)号：CN110556428B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K10/46 , H01L27/12 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
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公开(公告)号：CN103467489B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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公开(公告)号：CN103467489A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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