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公开(公告)号：CN102024635A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010563926.3
申请日：2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种电子发射体，所述电子发射体为一碳纳米管复合线状结构，所述碳纳米管复合线状结构包括一导电线状结构及一碳纳米管层设置在所述导电线状结构的表面，所述碳纳米管层环绕所述导电线状结构形成一碳纳米管管状结构，在所述碳纳米管复合线状结构的一端，所述碳纳米管管状结构延伸出多个电子发射尖端。本发明还涉及一种电子发射元件，包括：一导电基体；以及一上述的电子发射体，所述电子发射体与所述导电基体电连接，所述电子发射体具有多个电子发射尖端的一端沿远离所述导电基体的方向延伸。
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公开(公告)号：CN1639820B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN02815760.5
申请日：2002-08-09
Applicant: 敦提大学校董事会
CPC classification number: H01L21/02686 , H01J1/3042 , H01J9/025 , H01L21/2026
Abstract: 一种场致发射背板(12g)，包括多个发射器位置，该多个发射器位置通过基于非晶半导体的材料的薄膜的激光结晶形成。发射器位置(20g)产生于结晶工艺所引起的粗糙表面纹理。使用激光干涉方法可以使结晶局部化，成形的发射器尖端(20j)在局部结晶区域(18j)上生长。这样背板可以用于场致发射元件，其在真空中或宽带隙发光聚合物中发射。而且，带有自动对准栅的背板(12m)可以通过在发射器尖端上沉积绝缘层(38m)和金属层(40m)，去除金属层顶部并蚀刻去绝缘体，保留由金属边环绕的每个尖端而形成。可以使用平面剂(39n)来改进这个工艺。
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公开(公告)号：CN101657875A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880011889.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 株式会社克莱斯泰克
IPC: H01J1/312 , H01J3/14 , H01J37/305 , H01L21/027 , H01J37/073
CPC classification number: H01J37/073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/3174 , H01J2201/312 , H01J2237/0635
Abstract: 本发明的面辐射型电子源具有：平面状的第一电极；与第一电极相对设置的平面状的第二电极；设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层；以及对第二电极和第一电极施加电压的电源部。电子通过层中，隔开规定的间隔而设置多个量子细线，并从第二电极的表面辐射电子，量子细线在从第一电极朝向第二电极的第一方向上延伸。量子细线由硅构成，同时在第一方向上以规定间隔形成多个粗细度细的部分。
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公开(公告)号：CN100376040C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源(10)，该电子源包括形成于绝缘基片(1)一侧表面上的电子源元件(10a)。电子源元件(10a)包括下电极(2)，复合纳米晶体层(6)和表面电极(7)。复合纳米晶体层(6)包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒(51)表面上形成的氧化硅薄膜(52)，存在于相邻晶粒(51)之间的大量纳米晶体硅(63)，以及在每个纳米晶体硅(63)表面形成的氧化硅膜(64)。氧化硅膜(64)是厚度小于纳米晶体硅(63)晶粒大小的绝缘膜。表面电极(7)是由碳薄膜(7a)和金属薄膜(7b)形成，碳薄膜(7a)层压在复合纳米晶体层(6)上与其相接触，而金属薄膜(7b)层压在碳薄膜(7a)上。
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公开(公告)号：CN1938808A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010783.0
申请日：2005-03-22
Applicant: 先锋株式会社 , 日本先锋微电子技术公司
CPC classification number: H01J9/022 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及电子发射装置及其制造方法、和利用电子发射装置的摄像装置或显示装置。该电子发射装置具有下部电极(11)和上部电极(15)，且由从上部电极侧发射电子的多个电子发射元件构成，其中，电子发射元件之间形成有空间，上部电极以在桥部(15a)横跨上述空间的方式延伸，在该制造方法中，当制造上述电子发射装置时，在桥部设置通孔或缺口部(15a)，通过把桥部作为掩模，来蚀刻上部电极下方的层叠体，从而形成上述空间。根据上述电子发射元件，通过桥部能够对相邻的电子发射元件的上部电极之间进行电连接，而不会使上部电极与电子发射元件侧面及基板接触，因此能够缩短电流路径，并且能够减小断线的可能性。
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公开(公告)号：CN1879184A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200580000709.0
申请日：2005-01-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J1/312
Abstract: 电子发射元件(10A)具有由电介质构成的发射极部(12)、施加用于电子发射的驱动电压(Va)的上部电极(14)以及下部电极(16)，上部电极(14)形成在发射极部(12)的上表面，下部电极(16)形成在发射极部(12)的下表面，上部电极(14)具有露出发射极部(12)的多个贯通部(20)，上部电极(14)中贯通部(20)的周部(26)的与发射极部(12)相对的面与发射极部o(12)分离开。
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公开(公告)号：CN1856857A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480023468.7
申请日：2004-12-28
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 光源(10A、10B)具有把多个电子发射元件(12A、12B)二维地排列起来的发光部(14)、对该发光部(14)的各电子发射元件(12A、12B)施加驱动电压(Va)的驱动电路(16A、16B)。驱动电路(16A、16B)根据来自外部(亮灯/熄灯开关等)的表示亮灯/熄灯的控制信号(Sc)，在各电子发射元件(12A、12B)的上部电极(18)和下部电极(20)上施加驱动电压(Va)，来驱动控制各电子发射元件(12A、12B)。各电子发射元件(12A、12B)具有板状的发射体(22)、形成在该发射体(22)的表面的上部电极(18)和形成在该发射体(22)的背面的下部电极(20)。
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公开(公告)号：CN1271692C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN03800758.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L21/316 , C25D11/32 , H01J1/312 , H01J9/02
CPC classification number: H01L21/02238 , C25D11/32 , C25D21/12 , H01J9/025 , H01L21/02258 , H01L21/02299 , H01L21/0231 , H01L21/31675 , H01L21/31687
Abstract: 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。
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