实现XANES分析的方法和设备

    公开(公告)号:CN1829910B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200480021932.9

    申请日:2004-06-02

    CPC classification number: G01N23/02 G01N23/06 G21K2201/062 G21K2201/064

    Abstract: 用于将样品曝露到高能辐射的紧凑、低功耗系统和方法,例如将样品曝露到用于实现X射线吸收近边缘分析(XANES)的X射线。该系统和方法包括一个低功耗的辐射源,例如一个X射线管;一个或多个用于对指向被分析样品的辐射能量加以导向和改变的可调节晶体光学部件;以及一个用于探测由该样品发射的辐射的辐射探测器件,例如一个X射线探测器。这一个或多个可调节晶体光学部件可以是双重弯曲晶体光学部件。该系统的部件可以被排列在同一条直线上。所公开的系统和方法特别适用于XANES分析,例如生物过程中铬或其他过渡金属的化学状态的分析。

    包括具有各自的晶体取向的多个层的X射线聚焦光学器件

    公开(公告)号:CN101558454A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200780046503.0

    申请日:2007-11-16

    Inventor: 陈泽武

    CPC classification number: G21K1/06 G21K2201/062 G21K2201/064

    Abstract: 一种用于接收和重定向X射线的衍射X射线光学器件。该光学器件包括至少两个层,所述层具有类似的或不同的材料组成和类似的或不同的晶体取向。所述层中的每一个显示出衍射效应,且它们的整体效应对所接收的X射线上提供衍射效应。在一个实施例中,所述层为硅,且采用绝缘体上硅键合技术将所述层键合到一起。在另一实施例中,可以采用粘结键合技术。该光学器件可以为曲面、单色光学器件。

    实现XANES分析的方法和设备

    公开(公告)号:CN1829910A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200480021932.9

    申请日:2004-06-02

    CPC classification number: G01N23/02 G01N23/06 G21K2201/062 G21K2201/064

    Abstract: 用于将样品曝露到高能辐射的紧凑、低功耗系统和方法,例如将样品曝露到用于实现X射线吸收近边缘分析(XANES)的X射线。该系统和方法包括一个低功耗的辐射源,例如一个X射线管;一个或多个用于对指向被分析样品的辐射能量加以导向和改变的可调节晶体光学部件;以及一个用于探测由该样品发射的辐射的辐射探测器件,例如一个X射线探测器。这一个或多个可调节晶体光学部件可以是双重弯曲晶体光学部件。该系统的部件可以被排列在同一条直线上。所公开的系统和方法特别适用于XANES分析,例如生物过程中铬或其他过渡金属的化学状态的分析。

    光学单元及有关方法
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1675720A

    公开(公告)日:2005-09-28

    申请号:CN03819527.5

    申请日:2003-06-19

    Abstract: 本发明涉及具有横向梯度反射多层膜的光学单元(10),该光学单元的反射表面用于反射锐角入射的X射线并产生二维光学效应,其特征在于所述反射表面由单一表面构成,所述表面根据对应于两个不同方向的两个曲率成型。本发明还涉及制造所述光学单元的方法,其特征在于该方法包括已经具有曲率的基质上镀膜,而且所述基质的曲率沿着第二不同方向。本发明还公开了用于产生和处理RX发散角度的X光反射仪的装置,包括如上所述的光学单元,结合到X射线源上,以便光源发出的X射线在二维方向上被处理,以便调整光源对于样本所发出的光束,X光束的入射角度不同于所考虑的样本。

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