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公开(公告)号：CN106410605B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201611091156.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。
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公开(公告)号：CN104638517A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510111618.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1-xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1-xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1-xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1-xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1-xInxSb层的x的值逐渐减小。
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公开(公告)号：CN104005007A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410257157.2
申请日：2014-06-11
Applicant: 长春理工大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用光谱探测技术确定CH3/CH4含量，指导ALD制备Al2O3薄膜的方法。利用近红外光谱仪分析近红外光谱，分析反应程度。通过调节生长温度，脉冲时间，冲洗时间等生长条件确定Al2O3最适宜的生长条件。本发明通过近红外光谱仪测量光吸收谱，可实时了解并控制反应进程，对提高ALD生长Al2O3等氧化物薄膜的质量及可控性具有重要作用，同时可提高材料的可重复性。
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公开(公告)号：CN102495931A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110415331.8
申请日：2011-12-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种利用ANSYS对LD侧面泵浦的螺纹型Nd：YAG激光晶体进行热特性分析的方法，属于激光技术领域。该方法是一种在计算机上对LD侧面泵浦的螺纹型Nd：YAG激光晶体的真实工作状态进行模拟仿真，从而达到对螺纹型激光介质热特性进行分析研究的目的。分析步骤包括：计算光传播深度，确定泵浦能量在晶体内部转化生热区域，实现模型的建立；计算加载区生热率，确定泵浦能量转化生热对晶体的影响，实现对晶体内部生热率的加载；计算环隙对流系数，确定水冷系统对晶体的影响，实现晶体表面对流换热系数的加载；用ANSYS求解并查看结果。本发明的有益效果为：能在给定泵浦功率、环绕泵浦阵列个数、冷却水流速及实验器件参数的条件下模拟出螺纹型Nd：YAG激光晶体稳态工作时内部的温度分布情况，从而在热管理方面为激光器能稳定工作提供了依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114530559B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210149724.7
申请日：2022-02-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本申请提供一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。钙钛矿光电探测器，包括层叠设置的聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层；所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和所述钙钛矿层之间具有空腔。钙钛矿光电探测器的制备方法，包括：将含有金属纳米颗粒的聚乙烯醇溶液在第一衬底上形成所述聚乙烯醇‑纳米金属粒子层；在第二衬底上涂覆PbX溶液得到PbX薄膜，然后将PbX薄膜与YX溶液反应得到钙钛矿多晶薄膜，退火得到钙钛矿层；将聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层贴合得到钙钛矿光电探测器。本申请提供的钙钛矿光电探测器，通过聚乙烯醇‑纳米金属粒子层和钙钛矿层之间的空腔，达到了控制金属纳米颗粒与钙钛矿之间的距离，从而实现LSPR增强效果。
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公开(公告)号：CN115588703B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202211326005.4
申请日：2022-10-20
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料及其制备方法和SAM‑APD。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，包括层叠设置的Si接触层、Si倍增层、Si电荷层、CQD吸收层和CQD接触层。基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料的制备方法：制备Si接触层、Si倍增层和Si电荷层；然后在Si电荷层的表面依次设置胶体量子点，得到CQD吸收层和CQD接触层。本申请提供的基于胶体量子点和硅的SAM‑APD材料，胶体量子点展现出了Si的兼容性，而且胶体量子点的生长降低了材料生长的复杂性与成本，结合Si能够实现具有高增益、低噪声、低成本等优点。
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公开(公告)号：CN118954443A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411435115.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别是涉及一种铅基硫族核壳结构量子点的制备方法、产品及应用。该制备方法包括以下步骤：利用热注入法制备铅基硫族量子点；将氧化镉、油酸和1‑十八烯混合后进行阶梯加热，得到油酸镉溶液；向所述油酸镉溶液中加入所述铅基硫族量子点的溶液反应，得到所述铅基硫族核壳结构量子点；所述铅基硫族量子点为PbSe量子点或者PbS量子点。本发明通过热注入法制备铅基硫族量子点，具有成本低、产率大等优势，通过控制反应的温度和时间，可以精确调控量子点的尺寸形貌的优点。本发明通过阳离子交换法制备铅基硫族核壳结构量子点，具有可以制备多种几何结构、反应的条件比较温和、重复性高和可控性强等特点。
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公开(公告)号：CN116864556B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311034795.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器及其制备方法，涉及半导体材料领域。基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，包括由上至下依次层叠设置的顶部电极接触层、第一PbSe CQD吸收层、CQD阻挡层、第二PbSe CQD吸收层和底部电极接触层；所述第一PbSe CQD吸收层和所述第二PbSe CQD吸收层的原料包括第一配体组装后的PbSe胶体量子点，所述CQD阻挡层的原料包括ZnO胶体量子点或者第二配体组装后的PbS胶体量子点或Ag2Se CQD胶体量子点。本申请提供的基于PbSe胶体量子点的红外光电探测器，能够实现探测器探测波长的轻松调控。
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公开(公告)号：CN113284973B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110526831.2
申请日：2021-05-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种高响应度的雪崩光电二极管结构涉及雪崩二极管技术领域，解决了低噪声和高倍增增益难以同时实现的问题，二极管结构为纳米线型，包括从下至上顺次设置的GaAs倍增层、窄带隙插入层和吸收层；插入层的材料为GaAs1‑xSbx，吸收层的材料为GaAs1‑ySby；或者；插入层的材料为IniGa1‑iAs，吸收层的材料为InjGa1‑jAs；i和x为固定值，吸收层的In或Sb组分由下至上线性递增。且x＞ymin,i＞jmin。本发明通过窄带隙插入层在价带形成空穴阱，捕获空穴，并在插入层和倍增层之间形成强空穴势垒以阻挡空穴，增强了雪崩区的电场强度，提高了倍增因子，降低了噪声。
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