公开(公告)号：CN104167440A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410369694.6

申请日：2014-07-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  袁嵩 ,  杨银堂

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电极实现器件导通，器件处于关断状态；当栅极加正电压时，栅极下的2DEG浓度提高，使其能带高度下降，随着电压进一步增大，2DEG能带高度进一步下降，2DEG与P型GaN的势垒厚度也不断减小，直到在漏源电压的作用下发生遂穿，实现器件导通。

公开(公告)号：CN104112774A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410016547.0

申请日：2014-01-14

Applicant: 西安后羿半导体科技有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  李春来 ,  董超 ,  范玮 ,  朱樟明 ,  杨银堂

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其包含第一漂移区和位于第一漂移区表面的第二漂移区。第二漂移区的表面形成有至少一个凹槽，以增加漂移区的表面积，减小器件的比导通电阻。并设置栅绝缘层和栅极覆盖部分或全部第二漂移区，且栅绝缘层和多晶硅栅极依次填充凹槽，形成折叠的栅绝缘层和多晶硅栅极。在器件关断时，折叠多晶硅栅极具有的电场调制效应，提高了器件的击穿电压。而在器件开启时，可以在折叠栅绝缘层邻接漂移区的侧壁和顶部形成多层多数载流子积累层，降低漂移区的比导通电阻，实现完整的3D-RESURF效应，由此改善了击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。

公开(公告)号：CN118448452A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410337194.8

申请日：2024-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  师俊儒 ,  杨银堂

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种折叠形GaN基的HEMT器件，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中导通电阻过高的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，其中，GaN缓冲层(2)采用侧面为凸字形的折叠型结构，其两端为源极(4)和漏极(5)，该势垒层的上部两侧与其下端之间设有AlGaN介质层(7)，以在缓冲层的平面与垂直面之间构成电流沟道,增大器件的飘移区宽度；该AlGaN介质层(7)的外围与凸字形顶部的AlGaN势垒层上方包围有栅极(6)。本发明的折叠型结构能增大器件的饱和电流，有效降低器件的导通电阻，可用于微波功率放大器微波集成电路。

公开(公告)号：CN117673134A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211062521.0

申请日：2022-08-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  唐春萍 ,  杨银堂

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及双极结型晶体管结构，具体涉及一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管及制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管包括栅介质层，以及分别设置在栅介质层两侧的高阻硅衬底和双极结型晶体管结构；本发明通过将常规结构的漂移区面积减小，形成具有积累作用的类似双极结型晶体管的P1N1N+P2结构，并将其通过栅介质层与IGBT结构集成。同时，本发明公开一种与双极结型晶体管集成的绝缘栅双极型晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN117318716A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311222341.9

申请日：2023-09-20

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 苏振 ,  翟世奇 ,  段宝兴 ,  肖鹏

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明涉及一种扩展计数型模数转换器的版图及芯片，输入输出接口版图区环绕包围功能电路版图区，功能电路版图区中，电源管理电路版图区将混合信号版图区半包围，以使将电源信号经过电源管理电路版图区隔离后再进入数字信号电路版图区和混合信号电路版图区，电源更加稳定，电流的流向为同一方向，避免产生多余的环路电流，保证了扩展计数模数转换器在两种工作阶段及切换阶段信号均不受电源与地信号的影响。同时，混合信号电路版图区将数字信号电路版图区半包围，保证了模拟信号的精度不会收到数字信号的影响，提高了模数转换器的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN117060929A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310885570.2

申请日：2023-07-18

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 苏振 ,  翟世奇 ,  段宝兴 ,  肖鹏

IPC: H03M3/00

Abstract: 本发明提供了一种多位量化硬件复用扩展计数型模数转换器包括：采样模块、控制模块、运算模块、斩波运算放大器、多位量化器、计数器与数字逻辑处理、DAC模块；采样模块、控制模块和运算模块受多个时钟信号控制进行分时复用，使得多位量化硬件复用扩展计数型模数转换器循环交替处于Sigma‑Delta ADC工作模式和循环ADC工作模式。本发明综合了Sigma‑Delta ADC高精度与Nyquist‑Rate ADC速度相对较快的优点，并对Extended Counting ADC进行了改进，引入了多位量化技术、双采样技术以及斩波技术，使得ADC在保持高精度和一定速度的前提下整体功耗大幅度降低。

公开(公告)号：CN116938241A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310672877.4

申请日：2023-06-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤华莲 ,  梁文才 ,  张丽 ,  段宝兴

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明公开了一种非对称性寄生校准分段电容阵列，包括正端电容阵列和负端电容阵列，所述电容阵列包括采样电容、转换电容、校准电容以及补偿电容；所述采样电容采用简单的开关时序，可消除由高段寄生电容带来的增益误差；所述转换电容采用分段电容阵列结构，减少电容个数和面积；所述校准电容用于校准由桥接电容的寄生电容以及LSB阵列寄生导致的非线性；所述补偿电容使正端与负端两端电容阵列相匹配。本发明的校准电路及其校准时序实现简单，功耗低。

公开(公告)号：CN113571577B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110623695.9

申请日：2021-06-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  孙李诚 ,  杨银堂

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提出了一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。通过N型漏区提供的额外电子抽取通道，该IGBT器件在常规逆导型结构的基础上，利用漏极与电子抽取通道之间形成肖特基接触。由于较高的金属功函数，肖特基接触部分产生的结势垒会在通道中形成具有一定面积的空间电荷区，当漏极偏压较低时能够起到阻挡电子的作用。本发明提出的晶体管保留了逆导结构的优点，能够明显抑制器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且通道中产生的空间电荷区随着漏极偏压的变化实现了变化的漏区电阻，有利于彻底消除器件导通时由常规逆导结构引起的电流折返现象，最终缓解了器件在正向特性和开关特性之间的矛盾关系。

公开(公告)号：CN116190438A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211100004.8

申请日：2022-09-07

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  段宝兴 ,  刘芳 ,  张鹏 ,  胡毅 ,  吴峰霞 ,  马俊超 ,  李明哲 ,  杨银堂

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。

公开(公告)号：CN113299831B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110557734.X

申请日：2021-05-21

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中南大学 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 段宝兴 ,  唐春萍 ,  孙佳 ,  刘婉蓉 ,  杨银堂

IPC: H10K10/46 ,  H10K77/10 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明公开了一种基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法。该器件采用底栅顶接触结构，依次由柔性衬底、栅电极、绝缘介质层、有源层、源、漏电极构成。该结构采用介电常数较高的A l2O3作为无机材料绝缘介质层，能够有效降低工作电压和阈值电压，但高介电常数带来较高界面极性；为降低其界面极性，又增加了PMMA制作的绝缘介质薄膜和由交联剂4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐与聚(4‑乙烯基苯酚)混合而得的交联PVP‑HDA绝缘介质薄膜。本发明的柔性薄膜晶体管能够较好的平衡介电常数与界面极性之间的矛盾，还同时兼具较低功耗、较小漏电流、较低亚阈值摆幅等优点，工艺简单、成本较低，有利于大规模生产。