公开(公告)号：CN118099204A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410337195.2

申请日：2024-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  师俊儒 ,  杨银堂

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS HEMT器件，主要解决现有同类器件功耗和导通电阻过大的问题。其包括衬底、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)及源、漏电极(4，5)，该GaN缓冲层采用侧面为凸字型的折叠型结构，其上表面为AlGaN势垒层；该势垒层的上表面刻蚀有栅氧化层(8)，上部两侧与其下端之间设有AlGaN介质层(7)；该介质层的外围与凸字形上部的栅氧化层上方包围有栅极(6)，源、漏电极分别包裹在GaN缓冲层的左右两侧。本发明提高了器件的阈值电压，使器件从耗尽型变为增强型，且折叠型结构能增大器件漂移区宽度，降低器件导通电阻，可用于微波功率放大器微波集成电路。

公开(公告)号：CN118448452A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410337194.8

申请日：2024-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 段宝兴 ,  师俊儒 ,  杨银堂

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种折叠形GaN基的HEMT器件，主要解决现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中导通电阻过高的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)和AlGaN势垒层(3)，其中，GaN缓冲层(2)采用侧面为凸字形的折叠型结构，其两端为源极(4)和漏极(5)，该势垒层的上部两侧与其下端之间设有AlGaN介质层(7)，以在缓冲层的平面与垂直面之间构成电流沟道,增大器件的飘移区宽度；该AlGaN介质层(7)的外围与凸字形顶部的AlGaN势垒层上方包围有栅极(6)。本发明的折叠型结构能增大器件的饱和电流，有效降低器件的导通电阻，可用于微波功率放大器微波集成电路。