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公开(公告)号：CN101692607A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910023889.4
申请日：2009-09-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种用于无源超高频射频识别芯片的高稳定度时钟产生电路，主要解决现有时钟电路抖动大和温漂高的问题。它包括：一组电流镜时钟校准电路(301)、两个反相器(302，303)、两个比较器(304，305)、两个RS触发器(306，307)和两个反相器(308，309)；该两个反相器、该两个比较器以及该两个RS触发器构成两个振荡回路，该两个比较器的反相输入端与地之间连接有产生比较电平的电阻R′和延迟电容C3，该电阻采用正温度系数的N阱电阻R1和负温度系数的高阻多晶硅电阻R2串联补偿，以抑制时钟温漂，该电容为电路中充放电电容的一半，实现比较电平1/4周期延迟，以抑制电流波动造成的时钟抖动。本发明时钟具有输出时钟频率稳定度高的优点，可用于集成电路。
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公开(公告)号：CN1779988A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510096163.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环12s和P+接触区13，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN110708021B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910943796.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度差分双反馈低噪声放大器，主要解决现有技术在线性度差的不足。其包括：包括两个源简并电感L1、L2，两个负载电感L5、L6、两个输出串联峰值电感L3、L4、两个偏置电压V1、V2和两类反馈环路S1、S2，第一类反馈环路S1与第二类反馈环路S2彼此交叠，相互作用；通过第一类反馈环路可使环路内的NMOS晶体管的跨导增加近一倍，也可抵消二次谐波分量在线性度上带来的恶化，通过第二类反馈环路的增益与第一类反馈环路增益的叠加，进一步提高了电路整体线性度。本发明结构简单，由于双反馈环路提供了较高的三阶互调失真截止点，无需使用双极型晶体管，改善了电路整体的线性度，可用于射频前端芯片。
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公开(公告)号：CN113408685B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110614672.1
申请日：2021-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明涉及一种基于能量管理的射频能量采集系统及无源射频标签，其系统包括天线、射频前端、阻抗自适应调节模块、负载隔离及充放电控制模块、线性稳压模块、开关K、检测电容C11和储能电容C12；天线与射频前端协同耦合；射频前端的输出端与检测电容C11的一端连接；射频前端的输出端还通过开关K分别与储能电容C12的一端以及负载隔离及充放电控制模块连接，检测电容C11及储能电容C12的另一端均接地，开关K受控于阻抗自适应调节模块。本发明移除标准50Ω的匹配，采用共轭匹配获取最佳匹配效果，且通过负载隔离保证状态切换之后仍处于最佳匹配状态；通过预充电和稳压的方式输出稳定的电源电压，实现能量的高效利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541720B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110689549.6
申请日：2021-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于调谐功能的射频输入过功率保护方法及系统，其方法包括，S1检测整流输出电压的预设分压是否超过上限判决阈值；若是，则执行S2‑S3；若否，则执行S4‑S6；S2调整射频前端的阻抗使射频前端与天线之间的阻抗匹配度降低；S3检测整流输出电压的预设分压是否不超过上限判决阈值；若否，则执行S2；S4调整射频前端的阻抗使射频前端与天线之间的阻抗匹配度升高；S5检测整流输出电压的预设分压是否超过上限判决阈值，若是，则返回执行S2，若否，则执行S6；S6检测整流输出电压相对调整前是否上升。本发明通过功率检测和调谐，将过功率能量阻挡在射频前端之外，防止过功率能量进入射频前端的潜在危险和干扰，避免造成射频波形信号完整性问题。
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公开(公告)号：CN109546987B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811365860.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种宽带有源移相器，主要解决现有有源移相器中插入损耗较大的问题。其包括巴伦、正交信号发生器、模拟加法器、插入损耗补偿电路和带隙基准电路。其中，前四个电路依次连接，带隙基准电路连接在巴伦与插入损耗补偿电路之间。单端射频信号经过巴伦转换为幅度相同且相位相反的差分信号。差分信号通过正交信号发生器后，生成四个幅度相同且相位间距90度的正交信号并作为模拟加法器的输入，通过正交矢量合成的方式合成一簇等相移的信号，输入给插入损耗补偿电路来减小增益误差，得到移相器的输出信号。本发明不仅减小了移相器插入补偿，而且通过正交信号发生器和模拟加法器的使用，大大减小了移相器的面积，可用于射频集成电路设计。
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公开(公告)号：CN112886927A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110028046.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽频带注入锁定分频器，主要解决现有技术锁定范围窄、功耗大的问题。其包括电感电容谐振腔、注入晶体管、Colpitts振荡器和开关电流源。该振荡器由两个晶体管M1、M2与三个电容和二个电感连接组成，三个电容形成正反馈结构，二个电感将该正反馈结构与振荡器信号输出端隔离；开关电流源由两个晶体管M3和M4连接组成，这两个晶体管M3、M4与Colpitts振荡器中的两个晶体管M1、M2连接，为振荡器提供交替导通的直流电流，该振荡器和开关电流源均连接有衬底偏置电路，以减小电源电压。本发明在不增加芯片面积的同时，拓宽了分频器的频率锁定范围，降低了其直流功耗，可用于射频收发机芯片中。
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公开(公告)号：CN110246837B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910500481.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提出了一种双二极管ESD保护电路，包括高端二极管、低端二极管、ESD主通路和寄生PNP三极管。所述高端二极管阳极、低端二极管阴极和寄生PNP三极管发射极与待保护电路IO相连，所述高端二极管阴极、ESD主通路正极和寄生PNP三极管基极与待保护电路VDD相连，所述低端二极管阳极、ESD主通路负极和寄生PNP三极管集电极与待保护电路GND相连。本发明通过寄生PNP三极管释放IO对GND的ESD电流，即增加了一条IO对GND的ESD电流释放路径，相比相同面积的双二极管ESD保护电路，有效地提高了电路的失效电流。
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公开(公告)号：CN109959696B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910224882.2
申请日：2019-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器，主要解决常规半导体生物传感器无法辨别中性生物分子，检测敏感精度低的问题，其包括：SOI衬底(1)和互连金属(9)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2)，SOI衬底的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)；沟道区的表面设有栅介质层(5)；栅介质层的上表面设有栅极金属(7)；栅介质层的左侧设有生物填层(8)。其中，源区采用锗材料；沟道区和栅介质层均采用L形结构；沟道区采用非均匀掺杂，水平沟道区(41)用本征掺杂，垂直沟道区(42)用浓度为1017～1018cm‑3的N型掺杂。本发明能检测电中性的生物分子，提高检测敏感精度，降低实现成本。
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