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公开(公告)号：CN100411100C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610077889.9
申请日：2006-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种不需要对围堰实施表面处理(疏液化处理)，由此简化了工序、提高了生产效率的膜图案的形成方法、和由此获得的膜图案以及器件和电光学装置等。该膜图案的形成方法将功能液(X1)配置在基板(P)上来形成膜图案。包括以下工序：在基板(P)上形成与膜图案的形成区域对应的围堰(B)；在由围堰划分的区域(34)配置功能液(X1)；和对功能液(X1)实施固化处理而形成膜图案。在形成围堰(B)的工序中，首先涂敷聚硅氨烷液或聚硅氧烷液，接着对其进行曝光、显影，形成图案，然后通过烧结，形成在侧链上具有疏水基，并将硅氧烷结合作为骨架的材质的围堰，作为功能液(X1)，使用水系分散介质或含有溶剂的液状体。
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公开(公告)号：CN100410790C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510108592.X
申请日：2005-10-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供在基板的表面成为配线的形成微细图案的图案形成方法、配线形成方法、半导体装置、TFT器件、电光学装置和电子仪器。其特征在于：使用液滴喷出装置(40)形成的TFT1的栅配线(3)和栅电极(5)，具有：由Mn构成的栅中间层(10)、由Ag构成的栅导电层(11)、由Ni构成的栅被覆层(12)。配线的形成工序具有：为了设置具有与TFT基板2的密接性、而且对于形成导电层(11)的液滴(32)具有亲液性的中间层，而对于栅配线区域(3a)和栅电极区域(5a)喷出中间层形成功能液的液滴(31)的工序；用于与栅中间层重叠形成栅导电层(11)而对于栅配线区域(3a)喷出液滴(32)的工序；和通过与栅中间层(10)的亲液性使液滴(32)自己流动到栅电极区域(5a)的工序。
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公开(公告)号：CN101114121A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136934.8
申请日：2007-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/00 , H05K3/12 , G02F1/1333
CPC classification number: G03F7/0007 , G02F2001/136295 , H05K3/0023 , H05K3/1241 , H05K3/1258 , H05K2201/09727 , H05K2201/09909 , H05K2203/1173
Abstract: 本发明提供一种可以稳定形成具有高可靠性的图案的图案形成方法、以及液晶显示装置的制造方法。是通过在基板(P)上配置功能液形成图案的方法。在基板(P)上形成围堰膜(B0)，对围堰膜(B0)的表面实施疏液处理(F)。然后，使已实施了疏液处理(F)的围堰膜(B0)形成图案，形成围堰。实施将由该围堰划分的图案形成区域的表面的羟基烷基化的表面改性处理。在进行了表面改性处理之后，在图案形成区域配置功能液，并烧成功能液，形成图案。
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公开(公告)号：CN101071788A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710103202.9
申请日：2007-05-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/84 , H01L23/522 , H01L23/48 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H05K3/10
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种金属布线形成方法，包括下述工序：形成具有与第1膜图案(栅极布线(40))对应的第1开口部(第1图案形成区域(55))、和宽度比第1膜图案(40)窄且与第1膜图案(40)连接的第2膜图案(栅电极(41))所对应的第2开口部(第2图案形成区域(56))的围堰(34)；在第1开口部(55)配置功能液(L2)的液滴并通过功能液(L2)的自流动将功能液(L2)配置在第2开口部(56)；和使在第1开口部(55)和第2开口部(56)配置的功能液(L2)固化。第1膜图案(40)和第2膜图案(41)，通过对每个液滴多次反复进行涂敷液滴的工序和使功能液固化的工序成膜。由此可以抑制平坦度的降低，体现规定的特性。
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公开(公告)号：CN1909207A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105655.0
申请日：2006-07-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/00 , H01L27/00 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05K3/10 , H05K1/02
Abstract: 本发明提供将功能液配置在具有宽度不同的几个区域的图案形成区域内的情况下，形成的膜图案之间的膜厚没有差别的膜图案的形成方法。本发明的膜图案的形成方法的特征在于，具有：在基板18上层叠形成第1围堰层35和第2围堰层36的工序；通过将上述第1围堰层35及第2围堰层36图案形成，形成围堰34的工序，所述围堰具有由第1图案形成区域55、和与该第1图案形成区域55连续而且宽度比该第1图案形成区域55宽的第2图案形成区域56构成的图案形成区域13；设置上述围堰34，其中面对上述图案形成区域13的上述第1围堰层35的侧壁35s的接触角对于含有水的功能液是低于50°、上述第2围堰层36的接触角是比上述第1围堰层35的接触角大的角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866519A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082408.3
申请日：2006-05-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L21/02 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0005 , G02F2001/136295 , H01L27/1292 , H01L27/3246 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158 , Y10T29/49162 , Y10T428/23943 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供在具有宽度不同的区域的图案形成区域中配置功能液之时，消除了所形成的膜图案之间的膜厚差的围堰构造体、膜图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。本发明的围堰构造是将功能液所配置并流动的图案形成区域(P)利用围堰(34)划分的围堰构造(1)。图案形成区域(P)由第一图案形成区域(56)、与该第一图案形成区域(56)连续并且与该第一图案形成区域(56)相比宽度更大的第二图案形成区域(55)构成，在第二图案形成区域(55)中，设有至少一个分隔该第二图案形成区域(55)而限制功能液的流动方向的分隔围堰(34a)，与由该分隔围堰(34a)限制的功能液的流动方向大致正交的方向的分隔宽度(H)被制成在第一图案形成区域(56)的宽度(H2)的±20％以内。
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公开(公告)号：CN1862774A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610082674.6
申请日：2006-05-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/288 , H01L21/336 , H01L21/02 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种消除了围堰的疏液化处理所引起的不良情况的围堰形成方法、膜图案的形成方法、半导体装置的制造方法、电光学装置以及电子机器。是一种区划功能液所构成的膜图案的形成区域的围堰的形成方法。具有：在基板(P)上涂布抗蚀液并干燥，形成由抗蚀剂所构成的围堰膜(31)的工序；在围堰膜(31)中进行使用疏液化处理气体与等离子的疏液化处理的工序；对疏液化处理后的围堰膜(31)，使用掩模M有选择地照射紫外线，降低疏液性的工序；对疏液化处理后的围堰膜(31)，使用掩模M有选择地进行曝光的工序；以及在疏液性降低工序与曝光工序之后，显影围堰膜(31)并形成图案，形成围堰的工序。降低疏液性的工序与曝光工序，使用相同的掩模M连续或同时进行。
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公开(公告)号：CN1780530A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510118178.7
申请日：2005-11-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/3276 , H05K3/125 , H05K3/1258 , H05K2201/09909 , H05K2203/013
Abstract: 本发明提供在形成配线图案时可以减少断线等质量问题的配线图案的形成方法、设备的制造方法、设备及电光学装置以及电子机器。在从液滴喷头(1)向基板P上喷出配线图案用功能液(X)而形成配线图案时，在作为由基板(P)上的堤堰(B)划分出的凹部的第1区域部(Gh)和第3区域部(Ga)中，配置配线图案用功能液(X)，通过利用毛细管现象，使配线图案用功能液(X)流入比第1区域部(Gh)、第3区域部(Ga)更窄的第2区域部(Gd)中，并进行煅烧，形成了门电极(11)和门配线(12)。
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公开(公告)号：CN1777349A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510120402.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05K3/125 , G02F2001/136295 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L21/7685 , H01L27/3295 , H01L51/0022 , H05K3/1258 , H05K3/245 , H05K2201/09909 , H05K2203/013 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明提供一种在层叠多种材料、形成配线图案时，可减少裂纹或断线等质量问题的配线图案的形成方法、器件的制造方法、器件及电光学装置和电子设备。其是在基板(P)上的规定区域中使用液滴喷出法形成配线图案(79)的方法，其中具有：在基板(P)上突设围堰(B)的围堰形成工序；对基板(P)赋予亲液性的工序；和对围堰(B)赋予疏液性的工序。另外，具备在赋予了疏液性的围堰(B)之间形成第1层的基底膜(71)的工序；在第1层上形成第2层的导电膜(73)的工序；和在第2层上形成第3层的扩散防止膜(77)的工序。而且，具有一起烧成由这些基底膜(71)、导电膜(73)、扩散防止膜(77)构成的配线图案(79)的工序。
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公开(公告)号：CN1770959A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510108429.3
申请日：2005-10-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H05K3/045 , H05K3/125 , H05K3/1258 , H05K2203/013 , H05K2203/0568
Abstract: 一种布线图案形成方法，包括：在基板上的所定区域形成围堰的步骤；向用围堰包围的区域，喷出包含布线图案的材料的功能液，使功能液干燥后，形成布线图案的步骤；去除一部分围堰，以便使围堰的高度与布线图案的厚度大致相同的步骤。半导体装置的布线图案，采用上述布线图案形成方法形成，电光学装置具有该半导体装置，电子机器具有上述电光学装置。实现能够抑制起因于布线材料向绝缘膜等处扩散的半导体装置等的性能的劣化、能够抑制电路布线与其它电路布线及半导体装置的导体层短路的布线图案形成方法、膜图案形成方法、半导体装置、电光学装置及电子机器。
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