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    检查方法
    1.
    发明公开
    检查方法 无效

    公开(公告)号：CN103909732A

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：CN201410006903.0

    申请日：2014-01-07

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 瀧口宏志 ,  守屋克之 ,  春日治 ,  菅原晃

    IPC: B41J2/01

    CPC classification number: B41J2/0456 ,  B41J2/2142 ,  B41M5/52 ,  B41M5/5254 ,  B41M5/529 ,  C09D11/36 ,  D21H19/00

    Abstract: 本发明提供一种检查方法，其能够进行对通过喷墨法而喷出的液滴的液滴量、位置等的高精度的检测。本发明的检查方法的特征在于，具有：检查用媒介准备工序，准备具备基材和油墨接收层的检查用媒介，所述油墨接收层通过对油墨进行吸收而溶胀，从而在厚度方向上隆起；油墨施加工序，通过喷墨法而从液滴喷出装置向所述检查用媒介的所述油墨接收层施加油墨；观察工序，对所述检查用媒介进行观察。检查用媒介的特征在于，具备：基材；油墨接收层，其通过对油墨进行吸收而溶胀，从而在厚度方向上隆起。此外，优选为，每1g的所述油墨接收层对所述油墨的吸收量在0.2g以上，且每1g的所述基材对所述油墨的吸收量在0.1g以下。

    薄膜晶体管的制造方法
    2.
    发明授权
    薄膜晶体管的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100499049C

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：CN200610081754.X

    申请日：2006-05-11

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 守屋克之 ,  平井利充

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458

    Abstract: 本发明提供一种简化制造工序并提高生产率的TFT的制造方法。该方法具备：在基板(P)上，通过聚硅氮烷液形成与栅电极(80)的形成区域对应的第1围堰的前体(BP1)的工序；在前体(BP1)上的规定位置，通过用液滴喷出法配置聚硅氮烷而形成与源电极及漏电极的形成区域对应的第2围堰的前体(BP2)的工序；同时对前体(BP1)和前体(BP2)进行烘焙处理，同时形成以聚硅氧烷为骨架的无机质层构成的第1围堰(B1)和第2围堰(B2)的工序；在由前体(BP1)或第1围堰(B1)划分的区域形成栅电极(80)的工序；在栅电极的正上部隔着绝缘膜形成半导体层的工序；在被第2围堰划分的区域形成源电极及漏电极的工序。

    膜图案及形成方法、电子设备和有源矩阵基板的制造方法
    5.
    发明公开
    膜图案及形成方法、电子设备和有源矩阵基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1862768A

    公开(公告)日：2006-11-15

    申请号：CN200610077889.9

    申请日：2006-05-10

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 平井利充 ,  守屋克之

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

    CPC classification number: G02F1/1368

    Abstract: 本发明提供一种不需要对围堰实施表面处理(疏液化处理)，由此简化了工序、提高了生产效率的膜图案的形成方法、和由此获得的膜图案以及器件和电光学装置等。该膜图案的形成方法将功能液(X1)配置在基板(P)上来形成膜图案。包括以下工序：在基板(P)上形成与膜图案的形成区域对应的围堰(B)；在由围堰划分的区域(34)配置功能液(X1)；和对功能液(X1)实施固化处理而形成膜图案。在形成围堰(B)的工序中，首先涂敷聚硅氨烷液或聚硅氧烷液，接着对其进行曝光、显影，形成图案，然后通过烧结，形成在侧链上具有疏水基，并将硅氧烷结合作为骨架的材质的围堰，作为功能液(X1)，使用水系分散介质或含有溶剂的液状体。

    有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器
    6.
    发明公开
    有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器 失效

    公开(公告)号：CN1819146A

    公开(公告)日：2006-08-16

    申请号：CN200610004575.6

    申请日：2006-01-28

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 守屋克之

    IPC: H01L21/82 ,  H05B33/10 ,  G02F1/1362

    CPC classification number: G02F1/1368

    Abstract: 提供一种有源矩阵基板的制造方法等。所述方法包括：在基板(P)上形成第一方向或第二方向中任一配线(42)在交叉部56中被截断的格子图案配线(40、42、46)的第一工序；在交叉部(56)和配线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的第二工序；形成将层叠部上被截断的配线(42)电连接的导电层(49)、及借助于半导体膜(30)与配线(42)电连接的像素电极(45)的第三工序。其中导电层(49)及像素电极(45)的形成工序，包括：通过液滴喷出法形成将导电层(49)和像素电极(45)划分的贮格围堰的工序；和在被此贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。能够使干法和光刻法组合的工序的次数减少。

    膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置
    7.
    发明授权
    膜图案的形成方法、器件及其制造方法、电光学装置 失效

    公开(公告)号：CN100566509C

    公开(公告)日：2009-12-02

    申请号：CN200610006988.8

    申请日：2006-01-26

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 守屋克之 ,  平井利充

    IPC: H05K3/12 ,  H05K3/00 ,  B41J2/005 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10

    Abstract: 具有在基板(P)上形成贮格围堰(B)的工序、在由贮格围堰(B)划分的区域中配置功能液(L)的工序、使基板(P)上配置的功能液(L)干燥形成膜图案(F)的工序。在基板(P)上形成由贮格围堰的形成材料构成的薄膜(B0)，对其表面进行疏液处理后，通过图案化形成贮格围堰(B)。据此，成为只有贮格围堰(B)的上表面疏液，贮格围堰(B)的侧面未疏液的状态(对功能液(L)湿润性良好的状态)，所以在配置功能液(L)时，能顺利湿润扩展到贮格围堰间。提供能以高精度稳定形成实现微细化或细线化的膜图案的薄膜图案的形成方法。

    围堰的形成方法、膜图案的形成方法、装置以及电子机器
    9.
    发明授权
    围堰的形成方法、膜图案的形成方法、装置以及电子机器 失效

    公开(公告)号：CN100483638C

    公开(公告)日：2009-04-29

    申请号：CN200610082674.6

    申请日：2006-05-12

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 守屋克之 ,  平井利充

    IPC: H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  G03F7/00

    Abstract: 本发明提供一种消除了围堰的疏液化处理所引起的不良情况的围堰形成方法、膜图案的形成方法、半导体装置的制造方法、电光学装置以及电子机器。是一种区划功能液所构成的膜图案的形成区域的围堰的形成方法。具有：在基板(P)上涂布抗蚀液并干燥，形成由抗蚀剂所构成的围堰膜(31)的工序；在围堰膜(31)中进行使用疏液化处理气体与等离子的疏液化处理的工序；对疏液化处理后的围堰膜(31)，使用掩模M有选择地照射紫外线，降低疏液性的工序；对疏液化处理后的围堰膜(31)，使用掩模M有选择地进行曝光的工序；以及在疏液性降低工序与曝光工序之后，显影围堰膜(31)并形成图案，形成围堰的工序。降低疏液性的工序与曝光工序，使用相同的掩模M连续或同时进行。

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