电润湿显示装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN109856792B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910245208.2

    申请日:2019-03-28

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种电润湿显示装置及其驱动方法,该显示装置包括相对设置的上基板和下基板、设于下基板上的第一电极、设于上基板上的第二电极以及密封在上基板与下基板之间的油墨,其特征在于,所述上基板由上导电板构成,所述下基板由下导电板以及设于下导电板上的疏水绝缘层和电改性材料层构成,所述下导电板上侧面的角落位置上设置所述电改性材料层,其余位置上设置所述疏水绝缘层。该显示装置的驱动方法为:产生的驱动电压分为两个部分,第一部分为预置帧,施加电压使电润湿显示装置中的油墨的接触角达到阈值电压的状态,第二部分为驱动帧,施加电压显示图像内容。该装置及其驱动方法有利于提高电润湿显示装置的显示效果。

    一种NLED像素设置及修复方法

    公开(公告)号:CN111724699A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010536411.8

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片,每个像素单元包括至少m个NLED发光体;所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域,通过Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后,采用实时监测电极区域进行检测,在相应不良区域通过原位非Au-In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复,不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本,并且大大提高了LED显示器件的良品率。

    一种Micro-LED显示屏的结构和制造方法

    公开(公告)号:CN109768027B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201910085493.6

    申请日:2019-01-29

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示屏结构和制造方法,涉及显示器技术领域,包括设置于显示屏正面并由Micro‑LED芯片构成的显示阵列,所述显示阵列中每一行每一列的Micro‑LED芯片分别经金属线连接,且显示阵列的表面以及行和列的金属线之间分别设置有一层绝缘层;所述显示屏的背面设置有驱动芯片、金属焊盘以及若干条一端与驱动芯片相连接的背面金属走线,每条背面金属走线在功能上与正面的金属线一一对应;所述显示屏正面的的金属线和背面一一对应的背面金属走线经过孔方式连接并形成通路。有效克服Micro‑LED显示屏设计制造过程的转移和键合难题。

    一种基于双向对抗网络的图像超分辨率重建方法

    公开(公告)号:CN111080522A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911282780.2

    申请日:2019-12-13

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于双向对抗网络的图像超分辨率重建方法,首先对输入的图像数据进行数据增强;然后将数据增强后的图像数据进行预处理;接着搭建下采样网络与重建网络;然后训练所述下采样网络与重建网络,基于对抗损失及像素损失反向优化下采样网络及重建网络;最后将待测试的低分辨率图片输入到优化后的重建网络中,得到高分辨率输出图像。本发明可以处理现实生活由于多种噪声及运动干扰产生的低分辨率图像,恢复出细节清晰的高分辨率图像。

    一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件

    公开(公告)号:CN110690328A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910982153.3

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒,波长下转换发光层,上、下驱动电极,绝缘体,光学微结构以及控制模块,所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触,所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接,为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触,能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺,有效降低μLED器件制作周期和成本。

    一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件

    公开(公告)号:CN110676250A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910982161.8

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极,设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极,连接所述上、下透明基板的障壁微结构,设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块;障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元,绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触,通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮,激发波长下转换发光层而实现全彩化显示,可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。

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