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公开(公告)号：CN111952471A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN111952468A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828202.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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公开(公告)号：CN110061149B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910347313.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性OLED器件薄膜封装方法。所述薄膜封装方法采用无机/有机交叠封装结构，并且在封装结构的有机层表面进行修饰，使得表面变得疏水，针孔变小和变少，提高封装结构的水氧阻隔性能，同时减少无机/有机层之间的应力；所述周期性重复，并且在封装结构中设置牺牲层，进一步提高封装结构的水氧阻隔性能。本发明工艺程序简单，封装效果好。
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公开(公告)号：CN111834506A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010536751.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法，包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层；第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上；其中，第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构；第一接触电极设置于第一半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第二接触电极设置于第二半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第三接触电极设置于第四半导体层上，并与其形成欧姆接触；第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，具有较大的放大系数，可实现用小功率输入信号驱动半导体发光。
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公开(公告)号：CN111834505A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管器件，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834502A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834421A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/50 , H01L51/50 , H01L51/56 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834389A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1-S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN111798764A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN108258058B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810061249.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合有源层和沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金/SiO2壳核微结构‑二硫化钼复合结构薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，能有效提高这种金/SiO2壳核微结构与二硫化钼复合薄膜晶体管的电学性能。
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