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公开(公告)号：CN103605088A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310374350.X
申请日：2013-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种90度自偏置自旋阀传感单元，属于磁性材料与元器件技术领域的磁传感技。本发明包括基片，所述基片上自下而上依次设有自由层、隔离层、被钉扎层和钉扎层，其特征在于：所述自由层为自下而上依次设置的第一反磁铁层、第一铁磁层、第二反铁磁层、第一金属层、第二铁磁层、第二金属层和第三铁磁层组成。本发明能够在不设置附加偏置结构、附加工艺处理的情况下实现自由层与钉扎层磁矩在无外磁场时呈90度取向，降低自旋阀传感单元的制造难度；本发明的90度自偏置自旋阀传感单元的磁阻线对外磁场的变化呈线性响应，线性响应的磁阻曲线无磁滞，满足对自旋阀传感单元的要求。
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公开(公告)号：CN103304186A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310275973.1
申请日：2013-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体基复合磁介天线基板材料及其制备方法，它由85%～90%质量比例的主相材料和15%～10%质量比例的辅助相材料复合而成；所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24-yO41，其中x的取值范围为0～1.5，y的取值范围为0～4，所述辅助相材料为聚酰亚胺树脂。本发明提供的磁介复合基板材料，在300MHz～3GHz的频率范围内具有较低的磁导率和较高的介电常数，小型化因子较高，同时其磁损耗和介电损耗都较低；比常规陶瓷基板材料抗机械冲击的性能更好。不仅有助于降低天线重量和体积，而且也有利于提高微带天线的带宽并抑制表面波的产生。
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公开(公告)号：CN102856399A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210351626.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/078
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种多吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池，属于太阳能利用技术领域，涉及非晶硅太阳能电池结构。本发明提供的吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池与现有的单结非晶硅太阳能电池相比具有相似的结构，但本发明中非晶硅光吸收层为复合多层结构、由多个光学带隙宽度依次减小的非晶硅光吸收子层沿纵向从上往下依次层叠而成。本发明能够进一步提高非晶硅太阳能电池的太阳能光谱利用率，提高太阳能转换效率，同时降低光至衰退效应，消除N-P反向结的影响。
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公开(公告)号：CN101859927B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201019087048.X
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种LTCC叠层双馈圆极化微带贴片天线，属于天线技术领域，具体涉及一种低剖面微带贴片天线。包括两层辐射金属贴片、一层接地金属层和馈电层，该四层功能层由三层介质LTCC陶瓷介质基板相间隔，馈电层由Wilkins功分器和90度相移微带线构成。两层辐射金属贴片和接地金属层的几何中心采用金属接地针互连，馈电层上90度相差的双馈点通过金属馈电针与上层辐射金属贴片相连。两层辐射金属贴片各自的两条边上分别具有两个矩形调频电极。本发明不仅能够更好地兼顾了微带贴片天线低剖面、宽频带以及圆极化的性能要求，同时还能方便地对天线频带进行适量的调节。
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公开(公告)号：CN101909419A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010218948.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法，属于电子技术领域。产品包括介质基片，往上依次是微带传输线或共面波导传输线、绝缘层、过渡层和磁性薄膜，所述磁性薄膜具有非均匀的厚度。制备方法是首先在介质基片上制备传输线，然后沉积绝缘层，再利用胶体球掩模方法和薄膜沉积工艺制备过渡层和磁性薄膜。本发明依据铁磁共振理论和双磁子自旋散射模型，将常规传输线电磁噪声抑制器中均匀厚度的磁性薄膜变成非均匀厚度的磁性薄膜，从而大幅提高了传输线电磁噪声抑制器的工作带宽。本发明提供的传输线电磁噪声抑制器，具有更宽的工作带宽，能够满足宽频带范围内对电磁噪声进行抑制的需求；其制备方法工艺简单、能够与微波集成电路工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546864A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910059215.X
申请日：2009-05-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 具有背腔电极的微带贴片陶瓷天线，属于天线技术领域，涉及微带贴片陶瓷天线。包括陶瓷基板(2)、辐射贴片(1)、反射底板(4)，以及同轴连接器；还包括一个背腔电极，所述背腔电极由附着在陶瓷基板(2)四周侧壁表面的电极和附着在陶瓷基板(2)上表面四周边缘的电极构成；整个背腔电极与反射底板(4)相连通，但与辐射贴片(1)之间绝缘间隔。本发明通过增加与天反射底板相连的背腔电极，间接地增大了反射底板的面积，使更多的电磁能量向上辐射，从而在不增大天线体积和剖面厚度的前提下，较显著的提升陶瓷贴片天线的增益。本发明可克服常规微带贴片陶瓷天线在兼顾高增益和小型化、低剖面方面的不足，从而兼具高增益和小型化、低剖面的优点。
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公开(公告)号：CN100519824C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710050348.1
申请日：2007-10-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe3O4缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时，利用Fe3O4缓冲层发生从Fe3O4到Fe2O3活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶，从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度，使之与现代微电子工艺相兼容；同时，Fe3O4缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜，与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配，从而使得Fe3O4缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。本发明可用于制备集成磁性器件。
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公开(公告)号：CN101471420A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810045689.4
申请日：2008-07-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁记录技术，具体涉及一种交换偏置场型自旋阀。本发明提供的一种双交换偏置场型自旋阀，其中双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；反铁磁AFM1/铁磁层F1之间产生一沿膜面的交换偏置场Hex1；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间也产生一沿膜面的交换偏置场Hex2；但交换偏置场Hex1、Hex2的方向正好相反。本发明利用双交换偏置场，可在室温下扩展自旋阀的交换偏置场区域，拓宽自旋阀的高电阻区域，从而有利于提高交换偏置场型自旋阀在信息存储或其他应用中的稳定性。且本发明提供的双交换偏置场型自旋阀，可在室温下制备，无需高温退伙处理，具有良好的膜层稳定性和巨磁电阻性能。
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公开(公告)号：CN101462872A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910058207.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , H01Q1/00
Abstract: 一种低频微带天线基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述基板材料的主晶相为铁氧体，其配方分子式为NixCu0.1ZnyCo0.05FezO4－δ，其中x的取值范围为0.78～0.82，y的取值范围为0.07～0.03，z的取值范围为1.90～1.94，δ的取值以保证正负离子价态的平衡；辅助相为钛酸锶铋，其配方分子式为BiaSr1－aTiO3，其中a的取值范围为0.20～0.24；主晶相与辅助相的质量百分比在95∶5至97∶3之间。所述制备方法包括分别制备铁氧体预烧料和钛酸锶铋预烧料；然后将两种预烧料按比例二次球磨后造粒、成型和烧结步骤。本发明提供的低频段微带天线基板材料在1MHz～100MHz的范围内，磁导率和介电常数在18至25之间，且频段内比介电损耗系数低于0.03，可显著缩小低频段微带天线的尺寸和体积，并显著提升天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN100457958C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610021847.3
申请日：2006-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板，利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜的同时对高分子纳米胶体球进行刻蚀，最终制备出金属氧化物纳米反阵列薄膜。采用不同尺寸的高分子纳米球以及控制溅射功率和工作气压，可制备出不同尺寸的目的物。本发明能够减少金属氧化物纳米反阵列薄膜制备过程的设备投入，缩短制备时间，降低制造成本；可用来制备各种金属氧化物纳米反阵列薄膜，可应用于高密度磁存贮、传感器的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化等方面的工业化大规模生产。
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