公开(公告)号：CN108074925A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710953651.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坪井信生 ,  山本芳树

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G05F1/625 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78 ,  H03K17/687 ,  H01L27/088 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明涉及半导体器件，课题在于提高半导体器件的可靠性。在具有半导体基板(SB)、半导体基板上的绝缘层(BX)、和绝缘层上的半导体层(SM)的SOI基板(1)上，形成薄膜SOI型的p型MISFET(Qp1)，其源漏区域即n+型半导体区域(SDN)在半导体层、和半导体层上的外延层(EP)中形成。在半导体基板(SB)的n型阱区域(NW1)内形成的p型MISFET(Qp1)的下部隔着绝缘层而形成有半导体层(GN)。在作为n型阱区域(NW1)的供电区域的n型接头区域(NTAPR)中，在n型阱区域的主面在不经由外延层(EP)的情况下形成硅化物层(SL)。

公开(公告)号：CN104137238B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201280070697.9

申请日：2012-05-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本芳树 ,  槙山秀树 ,  角村贵昭 ,  岩松俊明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种半导体器件，具有在衬底上隔着栅极绝缘膜(GI)而形成的栅电极(GE)、和形成在衬底上的源极‑漏极用的半导体层(EP1)。半导体层(EP1)的上表面处于比栅电极(GE)的正下方的衬底的上表面高的位置上。而且，栅电极(GE)的栅长方向上的端部位于半导体层(EP1)上。

公开(公告)号：CN102612736A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980161790.9

申请日：2009-10-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山下朋弘 ,  西田征男 ,  林岳 ,  山本芳树 ,  井上真雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。