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公开(公告)号：CN101009294B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200710008163.4
申请日：2007-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14678 , G06K9/0004 , H01L27/1464
Abstract: 一种背面入射型的固态摄像装置，其具有半导体衬底、半导体层、和光接收部分。半导体衬底具有电阻率ρ1。半导体层位于半导体衬底的表面上。半导体层具有电阻率ρ2。其中，ρ2＜ρ1。光接收部分位于半导体层中。在该固态摄像装置中，在半导体衬底的内部或者半导体层的内部对从摄像对象到半导体衬底的背面上的入射光进行光电转换，并且光接收部分对通过光电转换产生的信号电荷进行接收，从而对摄像对象进行摄像。
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公开(公告)号：CN103022002A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210382395.7
申请日：2009-06-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0617 , H01L23/5227 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底（10）上形成多层布线层（400）、第一电感器（310）和第二电感器（320）。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器（310）设置在多层布线层（400）中的第n布线层中。第二电感器（320）被设置在多层布线层（400）中的第m布线层中并位于第一电感器（310）上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器（310）上方的任何电感器。第一电感器（310）和第二电感器（320）组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件（300）。
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公开(公告)号：CN102931163A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210407537.0
申请日：2007-07-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/498 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2924/13091 , H01L2924/19042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的半导体装置。该半导体装置包括半导体芯片。该半导体芯片具有半导体衬底、互连层、电感器和导电焊盘（第一焊盘）。互连层位于半导体衬底上。该互连层包括电感器。该焊盘位于互连层上。该焊盘位于半导体芯片的电路形成区域内的不与电感器重叠的区域中。
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公开(公告)号：CN101236955B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200810008603.0
申请日：2008-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：布线(10)和虚拟导体图形(20)。所述布线(10)为具有5GHZ或更高频率的电流流经的布线。在布线(10)附近，形成了虚拟导体图形(20)。每一虚拟导体图形(20)的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。
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公开(公告)号：CN102790031A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210251313.5
申请日：2009-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
CPC classification number: H01L28/10 , G01R31/2886 , G01R31/3025 , G01R31/303 , H01L23/48 , H01L23/645 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：基板；键合焊盘，提供在所述基板上方；第一信号传送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下方；内部电路，提供在所述基板上；其中所述内部电路连接到所述第一信号传送/接收部。
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公开(公告)号：CN1655356B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
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公开(公告)号：CN119997519A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411574425.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一线圈、第二线圈、第三线圈、第四线圈、第一保护环和第二保护环。第一线圈和第二线圈被形成在半导体衬底上。第三线圈通过绝缘膜面向第一线圈。第四线圈通过绝缘膜面向第二线圈。第一保护环被形成为在平面视图中围绕第三线圈。第二保护环被形成为在平面视图中围绕第四线圈。第一保护环和第二保护环彼此相邻，同时在平面视图中彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN119314982A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410923471.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、绝缘层和第一屏蔽件。该半导体衬底具有器件区域和周边区域。在平面图中，该周边区域存在于该器件区域周围。该第一线圈和该第二线圈被布置在该器件区域上并且被布置在平面图中的第一方向上。该第三线圈和该第四线圈经由该绝缘层分别与该第一线圈和该第二线圈相对。该第一屏蔽件布置在该半导体衬底与该第一线圈和该第二线圈之间并且在平面图中与该第一线圈和该第二线圈重叠。该第一屏蔽件在与该第一方向正交的第二方向上的宽度大于该第一线圈在该第二方向上的宽度和该第二线圈在该第二方向上的宽度。该第一屏蔽件被电连接到参考电位。
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公开(公告)号：CN118899285A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410421116.6
申请日：2024-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：经由第一键合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及经由第二键合材料安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：保护膜；以及在保护膜的第一开口部分中从保护膜被暴露的第一焊盘电极。第二半导体芯片经由第二键合材料安装在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。第二键合材料包括：与第一焊盘电极接触的第一构件；以及被插入在第一构件与第二半导体芯片之间的第二构件。第一构件是膜状导电键合材料，并且第二构件是膜状绝缘键合材料。
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