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公开(公告)号：CN119907327A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510039957.5
申请日：2025-01-10
Applicant: 清华大学 , 无锡旭晶光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔辅助的钙钛矿单晶阵列及与CMOS芯片互连方法，钙钛矿单晶阵列包括硅基底、隔离层、钙钛矿单晶、公共电极和像素化金属电极，硅基底具有阵列化的贯穿通孔，钙钛矿单晶位于通孔内部，公共电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶的表面上，像素化金属电极沉积在硅基底和钙钛矿单晶远离公共电极一侧的表面上；在应用过程中，将钙钛矿单晶阵列与CMOS芯片通过倒装焊接技术实现互连。本发明通过利用硅通孔的高精度加工能力与钙钛矿材料的优异性能相结合，确保了与CMOS工艺的兼容性，实现了高质量钙钛矿单晶阵列的像素化和与底层的CMOS读出芯片的高密度集成互连，从而为低成本、高性能X射线成像器件的制造提供了一种创新的技术路径。
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公开(公告)号：CN113948612B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202111211600.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 公开一种一维二硒化铂纳米带的制备方法，能够同时实现大规模、高质量制备和自取向制备。其包括：(1)在SiO2/Si衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，使用电子束曝光产生纳米带图形；(2)使用显影液溶解曝光部分的PMMA，并用定影液去除残留的显影液；(3)使用电子束蒸发在衬底上淀积一层金属铂，使用无水丙酮溶解PMMA，将非纳米带区域的金属铂剥离掉，得到金属铂纳米带；(4)将金属铂纳米带放置于管式炉的中间位置，在上游位置放置硒源，将硒源加热到220～300℃；(5)密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为40～70sccm的氮气为载气，将腔体升温至420～500℃持续一小时后，自然冷却至室温，得到二硒化铂纳米带。
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公开(公告)号：CN104617099B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510033719.X
申请日：2015-01-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/11507 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。
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公开(公告)号：CN102307325B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110204478.2
申请日：2011-07-21
Applicant: 清华大学
IPC: H04R23/00
Abstract: 本发明涉及一种热致发声装置，属于发声装置技术领域，其包括一发声元件以及与该发声元件相连的一信号输入装置；其特征在于，所述发声元件包括至少一石墨烯薄膜结构，所述信号输入装置输入信号给该石墨烯薄膜结构，使该石墨烯薄膜结构改变周围介质密度发出声波。本发声装置本身无机械振动，这种热致发声装置能够在10赫兹至100千赫兹频段内产生高的声压输出。具有高可靠性、柔性、透明、低成本、高性能的优势，能够广泛应用到手机、MP3、MP4、电视、电脑、超声成像、测距系统等电子领域。
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公开(公告)号：CN102307325A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110204478.2
申请日：2011-07-21
Applicant: 清华大学
IPC: H04R23/00
Abstract: 本发明涉及一种热致发声装置，属于发声装置技术领域，其包括一发声元件以及与该发声元件相连的一信号输入装置；其特征在于，所述发声元件包括至少一石墨烯薄膜结构，所述信号输入装置输入信号给该石墨烯薄膜结构，使该石墨烯薄膜结构改变周围介质密度发出声波。本发声装置本身无机械振动，这种热致发声装置能够在10赫兹至100千赫兹频段内产生高的声压输出。具有高可靠性、柔性、透明、低成本、高性能的优势，能够广泛应用到手机、MP3、MP4、电视、电脑、超声成像、测距系统等电子领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552082C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810103811.9
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四-乙二醇二甲醚4ml，Pb为27%，Zr为55%，Ti为18%，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95%，厚度为1500埃。
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公开(公告)号：CN119912340A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510039949.0
申请日：2025-01-10
Applicant: 清华大学 , 无锡旭晶光电科技有限公司
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , H10K85/50
Abstract: 本发明公开了一种室温气相法制备MAPbIxBr3‑x·DMF钙钛矿微米线森林的方法，包括以下步骤：S1：将钙钛矿前驱体混合并研磨均匀后得到混合粉末；S2：将混合粉末放入玻璃瓶中；S3：室温下，向玻璃瓶中通入有机溶剂气体，使气体与混合粉末充分接触；S4：反应结束后，玻璃瓶内出现白色一维结构，即为钙钛矿微米线森林。本发明的制备方法简单，成本较低，便于工业化生产，制备得到的钙钛矿微米线森林结构完整、形貌可控且排列有序，可以进一步用于光伏领域的光电探测、高能射线探测、光波导、光纤等领域，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN118946229A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411026133.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种简易高效的气相氛围钙钛矿退火方法，将钙钛矿前驱体溶液置于衬底上形成钙钛矿薄膜，在退火步骤之前将聚酰亚胺胶带紧贴在薄膜上并施加压力，随后整体在钙钛矿退火条件下进行退火。本发明通过比较简单的方法营造气相氛围对钙钛矿材料退火，在降低成本的同时，促进晶粒生长、减少杂质、提升钙钛矿薄膜平整度，可以满足商业化的需求。
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公开(公告)号：CN114539067A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210146468.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 清华大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C30B7/02 , C30B28/04 , C30B29/54
Abstract: 本发明公开了一维有机无机杂化钙钛矿及其制备方法，所述方法包括：在第一温度下，将前驱物CH3NH3X、PbX2与溶剂混合，使所述前驱物充分溶解，得到有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液；在第二温度下，所述有机无机杂化钙钛矿的前驱体溶液析出一维有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3；其中，第二温度低于第一温度。由此，通过无衬底的方式，可以成功的制备得到一维超长有机无机杂化钙钛矿，所制备的一维钙钛矿的长度可以大于5毫米，还可以达到厘米量级、甚至达到分米量级，产品的晶体质量较高，能够转移到任意衬底上，有利于钙钛矿基光电子器件向着高性能、可集成化方向发展。
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公开(公告)号：CN114420840A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111484162.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
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