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公开(公告)号：CN101566777A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910085479.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/35 , H01S5/026 , H04B10/155
Abstract: 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件，属于微波光子学领域的光电子器件制备技术领域，尤其涉及基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件将两个从激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，通过Y分支波导或多模干涉器将两个从激光器耦合在一起，从而实现外置主激光器调制边带的注入，进行注入锁定；再通过Y分支波导或多模干涉器耦合输出，进行拍差，就可以获得高频微波。本发明还可以进一步集成一个主激光器以及一个电吸收调制器，进一步提高集成度。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101237122A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810056429.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/50 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/065 , H01S5/00 , H01S1/00 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，具体地说是一种利用FP激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件，在同一芯片上集成一个DFB激光器和一个FP激光器，对DFB激光器进行直接调制或者外调制，它的两个调制边带去锁定FP激光器的两个相邻纵模，被锁定的两个相邻纵模进行拍差，通过光探测器进行接收，就可以获得高频微波。本发明将相关半导体光电子器件实现了单片集成，集成度高、结构新颖，既能提高性能又能大大减少器件的体积，有利于提高系统的稳定性；并且制作工艺简单、成本低、成品率高，适于大规模生产和应用，在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101222121A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710179425.3
申请日：2007-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件均采用脊波导结构，脊波导两侧用SiO2绝缘层填平，并集成一个分布反馈DFB激光器和一个半导体光放大器SOA。DFB激光器和SOA的顶面和底面上分别制作了一层P型电极和一层N型电极，DFB激光器和SOA相连的地方有一段电隔离段，且该电隔离段处无P型电极和欧姆接触层；DFB激光器的输出光产生的两个一阶调制边带作为SOA四波混频效应的泵浦光，产生两个频率差更大的光，进行拍差。该器件具有集成度高、成本低、成品率高、制作方法简单而又能提高性能的优点。
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公开(公告)号：CN1710761A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510089216.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种多段式分布反馈半导体激光器，属于光电子器件技术领域，其特征在于：多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。DFB激光器的激射波长不仅与光栅周期相关，而且与等效折射率有关。因此，可通过在不同的DFB段采用不同的波导宽度得到等效折射率差，从而实现激射波长的差异，使对应的激射谱产生微小的差异(量级0.01nm)，从而达到波长偏移的效果。此外，还可以对已经制作的光栅结构加以修补，起到优化器件性能的效果。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118174019A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410114971.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种集成宽带天线的太赫兹发射器，该发射器包括：探测器，用于产生射频信号；至少一个天线，用于传输射频信号，并对射频信号进行辐射，至少一个天线与探测器的阻抗共轭匹配网络，用于调节天线的输入阻抗，减小反射，最大化能量传输效率；片上偏置电路，片上偏置电路设置在至少一个天线的衬底上，用于将直流信号与射频信号分离，并抑制射频信号泄露，其中，直流信号为探测器的供电电流源。由此，解决了天线与探测器芯片集成问题，提出了芯片与天线的匹配设计方案，实现了天线与片上偏置器集成等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823992B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111071850.7
申请日：2021-09-14
Applicant: 苏州长瑞光电有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括至少一道刻蚀工序，用于以图案化的光刻胶作为掩模，将图案转移至由第一III‑V族半导体材料所构成的刻蚀目标层，并清除光刻胶；所述刻蚀工序包括以下步骤：在刻蚀目标层上形成由第二III‑V族半导体材料所构成的隔离层，第二III‑V族半导体材料与第一III‑V族半导体材料具有腐蚀选择性且两者晶格匹配；在隔离层上涂抹光刻胶并使之图案化；以图案化的光刻胶作为掩模，将图案刻蚀转移至隔离层和刻蚀目标层；去除至少部分光刻胶；通过选择性湿法腐蚀工艺去除隔离层以及其上的残留光刻胶。本发明还公开了一种半导体器件。本发明可在刻蚀工序中实现光刻胶的彻底去除，且对刻蚀目标层的表面几乎不造成损伤。
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公开(公告)号：CN113808936A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111071847.5
申请日：2021-09-14
Applicant: 苏州长瑞光电有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L29/06 , H01L29/207
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。本发明刻蚀方法用于将掩模上的图案通过干法刻蚀转移至III‑V族半导体材料层；所述掩模是由下层的介质掩模和上层的光刻胶掩模复合而成的双层复合掩模；通过所述介质掩模的厚度和/或干法刻蚀功率对刻蚀侧壁的倾角进行控制，其中，介质掩模的厚度与刻蚀侧壁的倾角成正相关，干法刻蚀功率与刻蚀侧壁的倾角成负相关。本发明还公开了一种半导体器件制造方法及一种半导体器件。相比现有技术，本发明可实现对III‑V族半导体材料刻蚀侧壁的倾角进行较大范围的连续调整，且工艺简单，实现成本低廉。
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公开(公告)号：CN108563041B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810373454.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种产生光子轨道角动量(OAM)信号的光发射器件，本发明实施例提供的被调制的OAM信号的光发射器件包括制作在同一衬底上的OAM信号发射器和EA调制器，由EA调制器调制OAM信号发射器发送强度被调制的OAM信号。因此，本发明实施例提供的光发射器件能产生强度被调制的OAM信号，该方法适用于InP基、GaAs基甚至GaN基等多种外延材料，可用于产生多个波段的高速光子轨道角动量信号，满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN111443426A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010270345.4
申请日：2020-04-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种慢波匹配结构薄膜型电光调制器，包括：Y分支输入波导、Y分支输出波导和光子晶体线缺陷波导组成的光波导结构以及渐变型周期容性负载电极组成的微波共面波导结构。其中，光子晶体线缺陷波导通过引入线缺陷限制处在禁带区域的光场，通过对光子晶体线缺陷波导的目标排光子晶体晶格施加目标位移，以调控光波群速度和/或获得宽谱慢光，并且增强电光相互作用以降低半波电压；渐变型周期容性负载电极用于减慢微波波速使之与光波群速度匹配从而获得大带宽，感性区到容性区的渐变结构用于降低微波反射，进一步提升高频特性。光波导结构由高介电常数绝缘体电光材料薄膜制得；渐变型周期容性负载电极结构采用高电导率金属材料制得。
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公开(公告)号：CN111220965A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010067982.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01S7/481
Abstract: 本公开提供一种多光束表面发射波导相控阵，包括：输入波导、分束器、一维相位调制器阵列、分束器阵列、波导阵列以及光栅辐射天线阵列，其中一维相位调制器阵列中的各相位调制器分别与所述分束器各出光路相连，对由分束器输出的光进行相位调制；分束器阵列将经过相位调制器后的每路光分成具有一系列具有设定幅度和相位的波导模式；波导阵列用于传输具有设定分束比的二级分束器产生的一系列具有设定幅度和相位的波导模式；光栅辐射天线阵列将波导阵列中的光耦合到自由空间中，输出二维分布光束阵列。本公开通过多光束表面发射波导相控阵，通过波导单元和光栅辐射天线，将片上波导中的激光耦合为空间的宽覆盖二维光束出射。
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