-
公开(公告)号：CN108109997A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711354718.0
申请日：2017-12-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种利用阱分割技术提高低压ESD防护性能的方法，具体包括阱分割技术和特殊的金属布线方法，可用于提高片上IC低压ESD保护的可靠性，本发明方法实例器件一主要由P衬底、第一N阱、第一P阱、第二P阱、第二N阱、第三P阱、第三N阱、第四P阱、第四N阱、第四P+注入区、第五N+注入区构成。在ESD应力作用下，利用阱分割技术，一方面，可获得二极管串触发SCR的低压ESD保护器件，避免器件内部产生雪崩击穿效应，降低器件的触发电压，另一方面，可大幅降低器件的寄生电容，满足射频IC的ESD保护需求。此外，通过调整器件内部N+注入区和P+注入区位置，改变SCR结构的ESD电流泄放路径，并结合金属布线设计，调节器件的维持电压。
-
公开(公告)号：CN105633075B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610137957.X
申请日：2016-03-11
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有强电压钳制和ESD鲁棒性的嵌入式高压LDMOS‑SCR器件，可用于高压IC的片上ESD防护。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第二场氧隔离区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二鳍式多晶硅栅、第三N+注入区、第三鳍式多晶硅栅、多晶硅栅、第四鳍式多晶硅栅、第二P+注入区、第五鳍式多晶硅栅、第三P+注入区、第六鳍式多晶硅栅、第四P+注入区、第三场氧隔离区、第四N+注入区和第四场氧隔离区构成。该器件在ESD脉冲作用下，可形成源端内嵌NMOS叉指结构和漏端内嵌PMOS叉指结构的阻容耦合电流路径和LDMOS‑SCR结构的ESD电流泄放路径，以增强器件的ESD鲁棒性，提高电压钳制能力。
-
公开(公告)号：CN106876389A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710292835.2
申请日：2017-04-28
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262
Abstract: 一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件，可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，当器件发生齐纳击穿时，一方面可形成由寄生阱电阻、MOS电容和栅控二极管构成的寄生阻容耦合辅助触发路径，以降低器件的触发电压和开启时间，另一方面可形成由一寄生PNP和两NPN构成的两条SCR结构电流泄放路径，以降低典型SCR结构的正反馈程度，提高器件的维持电压。
-
公开(公告)号：CN105428354A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510955242.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/60 , H01L27/02 , H01L27/0248 , H01L27/0262 , H01L27/0266
Abstract: 一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、第六N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层、若干浅隔离槽构成。该器件一方面在正、反向的ESD脉冲作用下，器件内部均存在一条结构对称，电学特性完全相同的ESD电流泄放路径，可提高器件的ESD电流泄放能力，实现ESD脉冲的双向防护，另一方面由NMOS M1和M2管构成的叉指NMOS结构与寄生P阱电阻形成阻容耦合电流路径，以增强器件的ESD鲁棒性，降低SCR电流导通路径中的电流密度，增大SCR的导通电阻，提高维持电压。
-
公开(公告)号：CN105390491A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510951868.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L23/60 , H01L27/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/42356 , H01L29/42364
Abstract: 一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该器件一方面由第二P+注入区、第三多晶硅栅、第五N+注入区、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区形成寄生的LDMOS-SCR电流路径，可增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层和第四N+注入区构成的叉指NMOS和寄生电阻，可形成阻容耦合效应，提高维持电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576639A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410765827.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。
-
公开(公告)号：CN104239923A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521876.0
申请日：2014-09-28
Applicant: 江南大学
IPC: G06K17/00 , G06F3/0482 , A47B31/00
Abstract: 本发明涉及一种具有射频识别功能与无线通讯功能的智能餐桌，其包括射频标签、微处理器、Wi-Fi模块、显示模块、语音模块、人机交互模块和存储模块。所述餐桌上方设有RFID读写器、所述人机交互模块和贴有射频标签的餐盘，所述RFID读写器可读取所述射频标签内的信息，并将获取的信息发送至所述微处理器，所述微处理器将获得的信息与所述存储模块中的信息进行分析与处理，不仅可通过所述语音控制模块以中文、外文或其他语音形式向客人介绍菜品的名称及相关信息，还可通过所述显示模块以文字、图片、动画等形式显示菜品信息。此外，上述菜品信息还可通过所述Wi-Fi模块发送至其他客户端。本发明结构紧凑简单，使用方便、智能、人性化，可以满足现代人的生活需求。
-
公开(公告)号：CN102224993B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110143078.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 江南大学
IPC: A47G23/04
Abstract: 本发明涉及一种便携式轨道活动型多功能加热保温套件，其包括厢式加热壳体；所述加热壳体上顶端的中心区凹设有加热部，所述加热部内设有用于检测加热温度的温度传感器及用于检测加热重量的压力传感器；所述温度传感器及压力传感器均与控制器的输入端相连，所述控制器的输出端与加热部内的加热器相连；控制器的输入端还与加热壳体上的调节模块相连，通过调节模块向控制器内输入所需的加热温度及加热功率；控制器根据调节模块、温度传感器及压力传感器输入相应的加热信号，调节及控制加热器加热的时间及加热温度。本发明结构简单紧凑，使用方便，适应性好，节能环保，干净卫生，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN117276271A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222013.9
申请日：2023-09-21
Applicant: 江南大学
Abstract: 一种碳基集成电路的静电防护方法，属碳基集成电路的静电放电与浪涌即电过应力瞬态脉冲防护领域。本发明通过利用一个栅接低电位P型碳纳米管晶体管和一个栅接高电位P型碳纳米管晶体管级联构成触发电路，将防护电路的触发电压降低；通过设计金属‑半导体接触，形成背靠背肖特基二极管，提高开启速度，避免了防护电路未及时开启导致被保护电路损坏；同时，设计栅接低电位P型碳纳米管晶体管、栅接高电位P型碳纳米管晶体管、碳纳米管等多条电流泄放路径，增强电路的鲁棒性；在由栅接低电位P型碳纳米管晶体管和栅接高电位P型碳纳米管晶体管串联构成触发电路的触发路径开启后，改变栅上的电压，辅助开启主电流泄放路径碳纳米管路径。
-
公开(公告)号：CN112599522B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202011472694.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种快速开启均匀导通双向静电浪涌保护IC，属于电路的静电放电与浪涌防护领域。通过引用由N型埋层和P阱构成的反向偏置单元，实现对工作电压高于18V应用电路进行双向静电浪涌防护；通过调节P阱宽度，调节本发明所述双向静电浪涌保护IC的电压箝位能力；通过引入开态NMOS，增强P阱表面的电流导通均匀性，提高本发明所述双向静电浪涌保护IC的开启速度。通过引入一GGNMOS与开态NMOS级联电学结构，既可增强本发明所述双向静电浪涌保护IC的表面电流泄流能力，又可增强本发明所述双向静电浪涌保护IC的ESD鲁棒性。在不增加芯片面积的前提下，本发明所述双向静电浪涌保护IC还具有双向ESD/TVS防护性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
131
records
(took 0.027 seconds)
