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公开(公告)号：CN101792327A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010112097.7
申请日：2010-02-09
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供的氧化铝基多孔陶瓷材料的制备方法，具体是：将有机硅树脂与氧化铝陶瓷粉料均匀混合，二者之体积配比为1∶1～4∶1；将混合粉体在100～150℃处理3～24小时蒸发溶剂，同时脱去有机硅中的自由水，获得氧化铝陶包覆粉体，研磨过筛后采用阶梯升温模压工艺制度将氧化铝陶包覆粉体成型，得到素坯试样；将素坯在800～1200℃惰性气氛保护下裂解，控制反应速率为100～300℃/小时，保温时间1～10小时，即得到一种氧化铝基多孔陶瓷材料。本发明裂解温度低、可重复性好、成本低廉，而且所制备的氧化铝基多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率较高和力学强度较高等优异性能。
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公开(公告)号：CN101439966A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810237418.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种SnO2电极陶瓷的制备方法。二氧化锡电极陶瓷材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：按烧结助剂的质量为SnO2粉体质量的0.5－1.0％，其中，烧结助剂为MnO2粉体和CuO粉体；按Sb2O3粉体的质量为SnO2粉体质量的0.1－1.0％，选取粉体原料；2)造粒：将粉体原料、有机溶剂和混料球放入球磨罐，在行星球磨机中进行混合；将混合均匀的浆体倒入容器中，放入烘箱中进行低温烘烤直至有机溶剂挥发完毕，然后研磨、过开口筛，获得混合粉末；3)冷等静压成型：将混合粉末放入模具中，由冷等静压机成型，得坯体；4)无压烧结：将坯体放入烧结炉中烧结，得二氧化锡电极陶瓷材料。本发明获得SnO2电极陶瓷具有掺杂量少、致密度高、常温电导率好、抗玻璃液的侵蚀能力强等优点。
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公开(公告)号：CN101164987A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710053286.X
申请日：2007-09-20
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/81 , C04B35/63
Abstract: 本发明是一种含有α－氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料，其固相含量为15～40％，其所含的组分及其质量配比为：α－氮化硅晶须1～10％，氮化硅粉体16～25％，聚乙烯亚胺1～8％，聚乙烯醇20～35％，丙二醇1～8％，去离子水余量。所述浆料的制备方法是：加入α－氮化硅晶须，以去离子水为溶剂，以聚乙烯亚胺为分散剂，聚乙烯醇作为粘结剂，丙二醇作为增塑剂；加入四甲基氯化铵来调节料浆的pH值；制备步骤包括配料、混合、两次球磨及后处理工序。所述浆料晶须含量较高同时粘度低、分散性好，适于流延成型；使用该浆料制备的流延膜表面平整，粉体颗粒和气孔分布均匀，强度高，可加工性好；并且制备工艺简单，成本低，循环周期短。
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公开(公告)号：CN1803716A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610018178.4
申请日：2006-01-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供了一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法，即：将液体磷酸作为添加剂直接与α－氮化硅陶瓷粉料均匀混合，二者之重量配比为1∶15～2∶1；将混合料采用模压成型或者注浆成型的方法成型；将成型样品在300～500℃进行热处理并保温2～5小时，使氮化硅颗粒表面通过磷酸作用得到净化；将热处理后的产物在900～1500℃氮气保护气氛下常压烧结，控制反应速率为100～200℃/小时和保温时间2～5小时，即得到一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料。本发明工艺简单、可重复性好、成本低，而且所制备的氮化硅多孔陶瓷材料具有孔隙分布均匀、孔径尺度小、孔隙率高和力学强度较高等优异性能。
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公开(公告)号：CN1544187A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310111356.4
申请日：2003-11-10
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B22F3/105
Abstract: 本发明提供了一种利用异相颗粒共沉降制备组分连续变化的金属系功能梯度材料的致密化方法。其特征为针对构筑金属系功能梯度材料的各主要组元，通过粗选方式得到能对一种或多种主要组元形成的颗粒均质体实现致密化的烧结助剂。然后在此基础上，进一步筛选出能够在同一条件下实现对多种组元同时致密化的烧结助剂，其烧结机制和添加含量的选择以在该条件下单质及复合材料达到最好致密度的添加含量作为标准。最后，根据构筑梯度材料各主要组元的粒度大小，利用颗粒在悬浮液中层流沉降条件计算出烧结助剂粉末的粒度分布和添加量。以沉降的方式将烧结助剂添加到颗粒沉积体中，通过真空热压或放电等离子烧结实现对连续梯度结构颗粒沉积体的致密化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1528921A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03125451.9
申请日：2003-09-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用两次不同温度范围内的热处理和多道冷轧调控的复合技术，控制带材轧压的延伸性能，制备高硅脆性硅钢板材的方法。其特征是先将粉末压延法制备得到的高硅含量硅钢薄板生坯在较低温度范围内进行一次烧结热处理，控制薄板中铁颗粒的硅含量，使板材保持可压延性能。在硅钢板材整体达到脆化前，进行多次轧压冷处理，从而可以控制板材的厚度，平整性和致密性。再通过此后高温范围内的二次烧结热处理，可获得组分均一的硅钢板材。最后，通过低压下率的板材应力调整和去应力退火处理，可以获得磁性能优异的高硅含量脆性硅钢板材。该方法突破了高硅硅钢板材无法通过轧压加工处理的局限，具有重大的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN119824380A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510083346.0
申请日：2025-01-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提出一种小口径大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置及其镀膜方法，本磁控溅射装置包括真空腔体、电磁铁系统、电源系统、抽真空系统和供气系统，真空腔体的底座安装有多个用于支撑样品管的真空转接头，真空腔体的顶盖上安装有多个用于罩设于样品管上方的阴极靶头，阴极靶头上安装有电极，电极下方吊装有丝状靶材以放置于样品管内部，电极与电源系统电连接，真空腔体连接有抽真空系统和供气系统以对其抽真空和供气，电磁铁系统包括缠绕于真空腔体外部的励磁线圈。本发明提出的镀膜方法，可实现对小口径大长径比管内壁进行批量镀膜。
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公开(公告)号：CN116589286B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310654590.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/645 , C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料。本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
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公开(公告)号：CN119753606A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411971220.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于中小口径深内孔细长管内壁的镀膜装置及方法，属于镀膜技术领域。该镀膜设备由控制单元和镀膜单元组成。控制单元包括真空室和进气系统，其中真空室用于安装及放置管并提供真空环境，进气系统则用于向真空室内注入工作气体。镀膜单元由靶材、磁线圈和驱动机构构成，靶材安装在管内部的中心轴线上。磁线圈为镀膜装置提供均匀的磁场环境，驱动机构的输出端与靶材以及磁线圈机械连接，确保靶材和磁线圈之间的同步传动控制。本发明特别适用于40mm及以下口径深内孔细长管内壁的快速、高效镀膜，且膜层质量优良。靶材中的磁芯外置，有利于减小靶材直径，简化拆卸与安装，降低制造难度和成本，进而提高经济效益。
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公开(公告)号：CN119588381A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411746132.9
申请日：2024-12-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/39 , C01B3/22 , C07C45/00 , C07C49/825
Abstract: 本发明涉及一种钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂及其制备方法与应用，所述钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂由Mo掺杂Zn0.3Cd0.7S基体得到，Mo掺杂量为Zn和Cd总摩尔量的1～6％。本发明提供的钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂可以形成极高吸附和催化活性的Mo基原子级缺陷簇，从而显著提升芳香二醇的吸附活化，并加速催化其脱氢反应以制取氢气和芳香醇酮，光催化效率极高，能够将芳香二醇在太阳光照射下一步催化反应转化为氢气和高附加值化学品芳香醇酮，反应时间为60～90min时，底物芳香二醇的转化率最高可接近100％，并且产物芳香醇酮的选择性好，最高可达100％，即无任何副反应发生。
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