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公开(公告)号：CN117525216A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311417217.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写的单片集成全彩Micro‑LED芯片制备及其方法。该方法包括，在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、n‑GaN、蓝光多量子阱、第一InGaN层、第一n‑InGaN层、绿光多量子阱、第二InGaN层、第二n‑InGaN层、红光单量子阱、第一电子阻挡层，随后逐步刻蚀蓝光和绿光台面结构，重新依次生长第二电子阻挡层、隧道结层和蒸镀ITO层，随后刻蚀形成独立的红、绿、蓝三色LED结构，沉积二氧化硅钝化层后制备p和n电极即得。本发明利用隧道结层与金属电极形成良好的欧姆接触，提高p区空穴注入效率，采用红光单量子阱结构提升红光发光纯度，在红光单量子阱和绿光量子阱下插入n型InGaN层，促进电子注入上层量子阱和抑制空穴注入下层量子阱，提升红光和绿光的发光纯度。
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公开(公告)号：CN117133836A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311042166.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种利用绝缘体上硅制备Micro‑LED芯片的方法、Micro‑LED芯片及面板，所述方法包括对表面依次沉积有AlN缓冲层和第一GaN层的绝缘体上硅进行刻蚀，得到若干个重复单元，每个重复单元包括立柱和间隙，间隙使得立柱分离且绝缘体上硅的二氧化硅层暴露；在所述立柱的上端生长GaN，直至立柱的上端被所述间隙分隔的空间依次接触和聚并，在立柱的上端形成第二GaN层，第二GaN层的底面积大于重复单元的底面积；在所述第二GaN层上依次生长n‑GaN层、多量子阱层、p‑AlGaN电子阻挡层和p‑GaN层，随后制备n电极和p电极，在刻蚀后绝缘体上硅表面形成Micro‑LED芯片阵列；分离得到Micro‑LED芯片。本发明可以得到位错密度小于1×108cm‑2的Micro‑LED芯片，提升Micro‑LED芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN116093233A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310017693.4
申请日：2023-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了高可靠性薄膜倒装Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本技术方案中，利用电化学腐蚀技术及机械剥离技术实现对衬底的高效、低成本剥离，采用离子注入技术实现对芯片侧壁悬挂键有效钝化，形成表面电场，抑制电子和空穴在芯片表面的非辐射复合。此外，通过在芯片侧壁沉积复合钝化层进一步钝化薄膜倒装Micro‑LED显示芯片。其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，钝化底层用于接触薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面，钝化顶层采用高介电常数材料，高介电常数材料使得芯片表面能带弯曲，产生大的空穴势垒，抑制空穴向薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面移动，降低薄膜倒装Micro‑LED显示芯片表面复合速率，提高薄膜倒装Micro‑LED显示芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN115799410A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211602140.7
申请日：2022-12-13
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了基于表面微印刷技术的柔性Micro‑LED阵列的制备方法。本方案中，采用糖、玉米糖浆以及水进行混合加热制成柔性焦糖层，通过柔性焦糖层将带有附着有粘接剂层的微圆盘转移到柔性Micro‑LED阵列的每一个Micro‑LED芯片表面，并通过粘接剂层将微圆盘粘附到Micro‑LED芯片表面，提高每一颗芯片的光提取效率。此外，Micro‑LED芯片设置有布拉格反射镜，由于布拉格反射镜带通滤波作用，能够将目标波长的光反射到出光面，提高芯片的光提取效率，同时将杂光透射到电极，使得电极将杂光吸收，减小芯片光谱的半高宽，提高倒装Micro‑LED芯片出光颜色的纯度。
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公开(公告)号：CN112670381B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011542840.2
申请日：2020-12-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种具有表面非周期光栅图案的发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u型GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、双层AlGaN结构和p型GaN层；其中：p型GaN层表面具有非周期光栅图案结构，由若干条沟槽构成，以p型GaN层正中间的沟槽为界两边对称分布，沟槽间距由中间向两端递减，减小到某个值后保持不变；双层AlGaN结构由p型AlGaN层、低温p型GaN层和p型AlGaN层组成。发光二极管表面的非周期光栅图案结构改变了发光二极管的近场和远场光分布，提高了芯片的发光强度和光线准直度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440862A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211126502.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了一种垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片的制备方法。本方案中，在倒装蓝光LED的n‑GaN层上再生长绿光LED，形成倒装蓝光LED与绿光LED垂直堆叠的结构。该结构利用绿光LED量子阱中大量的V型坑结构对In组分分布的调控作用，实现对绿光LED发光波长的调制。在较小的电流密度下，由于V型坑的作用，会使电流经过高In组分区域，从而发出红光；在较大电流密度下经过低In组分区域，从而发出绿光，结合倒装蓝光LED发出蓝光，可以实现全彩发光。该Micro‑LED芯片结构利用蓝光LED p‑GaN层的厚度并结合Ag膜反射镜形成光学腔结构，实现在垂直方向上蓝光的相消干涉，减弱蓝光在垂直方向上的发光光强，从而降低蓝光对绿光LED的光致发光效应，减少由此带来的串扰现象。
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公开(公告)号：CN114373834A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111458290.0
申请日：2021-12-02
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，公开了一种MicroLED芯片及其制造方法。本发明提供的MicroLED芯片的芯片形状为三角形，芯片结构为薄膜倒装结构，且包括图形化双层金属电极，相比于常规芯片结构具有更高的比表面积，且n型电极的分布得到优化，能够有效减少n型电极附近的电流聚集效应、降低n型半导体层的有效电阻，能够明显改善芯片的热量累积效应。
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公开(公告)号：CN109768135B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811611374.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种全色堆栈式倒装RGB Micro‑LED芯片阵列及其制备方法，包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层，以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层；然后通过刻蚀和沉积技术在所述外延层上分别制作红光、绿光和蓝光Micro‑LED电极，并采用金属互连线将各个Micro‑LED相连形成可独立寻址、高集成度的RGB Micro‑LED阵列。本发明显著提高Micro‑LED显示屏的分辨率，同时也省去了传统RGB Micro‑LED制作过程中巨量转移这一步骤，避免了转移率低、一致性差等问题。
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公开(公告)号：CN110265516B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910432226.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法，深紫外LED芯片的隧穿N型外延结构包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层；其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不掺杂的AlN层和GaN层组成；采用激光直写等光刻的方法刻蚀P型GaN层，形成纳米级周期性图形，在P型GaN层上制备蒸镀透明导电层和由多层金属组成的P电极焊盘，隧穿N型外延结构为由轻掺杂的P‑型AlGaN层、重掺杂的P++型AlGaN层、重掺杂的N++型AlGaN层和轻掺杂的N‑型AlGaN层组成的隧穿结，在隧穿结上制备N电极焊盘，隧穿N型外延结构和P型外延结构分别制备然后键合到导电衬底上，本发明提高深紫外LED芯片的光提取效率，增强了深紫外LED芯片的电流扩展性能和热扩散性能。
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公开(公告)号：CN110838390A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911149767.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)清洗基底；2)在基底上面旋涂光刻胶，烤干；3)使用激光直写设备设计图案并在覆盖有光刻胶的基底上曝光图案化的区域，然后用显影液去除对应图案化区域的光刻胶；4)将银纳米浆料涂至图案化区域，占据去除光刻胶后的区域，再使用研磨的方法，保证银纳米浆料与剩余光刻胶厚度均匀一致；5)把透光片压在步骤4)得到的图案化区域上，然后激光穿过透光片扫描基底的图案化区域，烧结固化银纳米浆料；6)去除剩余光刻胶，即得图案化透明导电薄膜。本方法可以任意设计图案，方便快捷地实现透明导电薄膜的图案化，灵活性强，可重复性好。
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