公开(公告)号：CN110265516A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910432226.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  刘梦玲 ,  徐浩浩

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法，深紫外LED芯片的N电极包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层；其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不掺杂的AlN层和GaN层组成；采用激光直写等光刻的方法刻蚀P型GaN层，形成纳米级周期性图形，在P型GaN层上制备蒸镀透明导电层和由多层金属组成的P电极焊盘，N电极为由轻掺杂的P-型AlGaN层、重掺杂的P++型AlGaN层、重掺杂的N++型AlGaN层和轻掺杂的N-型AlGaN层组成的隧穿结，在隧穿结上制备N电极焊盘，N电极和P电极分别制备然后键合到导电衬底上，本发明提高深紫外LED芯片的光提取效率，增强了深紫外LED芯片的电流扩展性能和热扩散性能。

公开(公告)号：CN106449928A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610952684.4

申请日：2016-11-03

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  刘梦玲 ,  郑晨居 ,  刘星童 ,  高艺霖

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片透明电极及其制造方法，该透明芯片电极由高透射率的超薄金属掺杂银膜构成，超薄金属掺杂银膜由金属Ag掺杂一定比例的具有高功函数的金属采用共溅射的方式形成，通过控制溅射流量的方法控制金属的掺杂比例，控制溅射的时间可控制超薄金属掺杂银膜的厚度，以此方法形成的超薄金属掺杂银膜为单层金属合金，结构简单，该超薄金属掺杂银膜能与P型半导体形成良好的欧姆接触且具有高的透射率，简化了LED芯片的结构，提高了LED芯片的出光效率。

公开(公告)号：CN110265516B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910432226.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  刘梦玲 ,  徐浩浩

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法，深紫外LED芯片的隧穿N型外延结构包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层；其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不掺杂的AlN层和GaN层组成；采用激光直写等光刻的方法刻蚀P型GaN层，形成纳米级周期性图形，在P型GaN层上制备蒸镀透明导电层和由多层金属组成的P电极焊盘，隧穿N型外延结构为由轻掺杂的P‑型AlGaN层、重掺杂的P++型AlGaN层、重掺杂的N++型AlGaN层和轻掺杂的N‑型AlGaN层组成的隧穿结，在隧穿结上制备N电极焊盘，隧穿N型外延结构和P型外延结构分别制备然后键合到导电衬底上，本发明提高深紫外LED芯片的光提取效率，增强了深紫外LED芯片的电流扩展性能和热扩散性能。

公开(公告)号：CN106952987A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710161944.0

申请日：2017-03-17

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  高艺霖 ,  胡红坡 ,  刘星童 ,  刘梦玲

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供了一种能够有效提高光输出功率和发光效率的紫外发光二极管外延结构及其制备方法。本发明所涉及的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，从下往上依次包括：衬底、AlN成核层、u型GaN缓冲层、第一n型AlGaN层、重掺杂n型GaN层、第二n型AlGaN层、轻掺杂n型GaN层、InGaN/AlGaN超晶格层、InGaN/AlInGaN有源层、p型AlInGaN层、p型AlInGaN/InGaN超晶格层、p型GaN层、重掺杂p型GaN层，其中，第一n型AlGaN层的厚度为60~100nm，第二n型AlGaN层的厚度为20~50nm。

公开(公告)号：CN106531863A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610954442.9

申请日：2016-11-03

Applicant: 武汉大学

Inventor： 周圣军 ,  刘梦玲 ,  郑晨居 ,  刘星童 ,  高艺霖

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L33/005 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明公开了一种倒装LED芯片电极及其制备方法。一种倒装LED芯片电极由金属掺杂薄膜层组成，金属掺杂薄膜层主体为高反射率的金属材料，通过共溅射的方法在其中掺杂有1~10%具有高功函数的金属材料，由此金属掺杂薄膜层形成的P电极结构简单，不仅具有高的反射率，能有效地提高出光率，还能与P型半导体形成良好的欧姆接触。