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公开(公告)号:CN105280525A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510306666.4
申请日:2015-06-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够与稀释比例的变更灵活地相对应,且能够抑制装置尺寸大型化的清洗药液供给装置、清洗药液的供给方法及清洗单元,清洗药液供给装置具有:第1直列式混合器,将第1清洗药液供给到清洗装置;第2直列式混合器,将第2清洗药液供给到基板清洗装置;第1药液CLC箱,对供给到第1直列式混合器的第1药液的流量进行控制;第2药液CLC箱,对供给到第2直列式混合器的第2药液的流量进行控制;以及DIWCLC箱,对供给到第1直列式混合器或第2直列式混合器的稀释水的流量进行控制,且清洗药液供给装置构成为:将稀释水的供给目的地从第1直列式混合器切换到第2直列式混合器,或从第2直列式混合器切换到第1直列式混合器。
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公开(公告)号:CN101985208B
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201010271684.0
申请日:2007-10-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/04 , B24B55/02 , Y10S451/914
Abstract: 一种衬底抛光设备包括衬底保持机构和抛光机构,所述衬底保持机构包括用于保持待抛光衬底的机头,所述抛光机构包括上面安装有抛光垫的抛光台。由所述机头保持的衬底被压靠所述抛光台上的所述抛光工具,以通过所述衬底和所述抛光工具的相对运动抛光所述衬底。所述衬底抛光设备还包括衬底传递机构,所述衬底传递机构用于将待抛光的衬底送到所述机头并接收已抛光的衬底。所述衬底传递机构包括用于接收待抛光衬底的待抛光衬底接收器和用于接收已抛光衬底的已抛光衬底接收器。
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公开(公告)号:CN101985208A
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:CN201010271684.0
申请日:2007-10-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/04 , B24B55/02 , Y10S451/914
Abstract: 一种衬底抛光设备包括衬底保持机构和抛光机构,所述衬底保持机构包括用于保持待抛光衬底的机头,所述抛光机构包括上面安装有抛光垫的抛光台。由所述机头保持的衬底被压靠所述抛光台上的所述抛光工具,以通过所述衬底和所述抛光工具的相对运动抛光所述衬底。所述衬底抛光设备还包括衬底传递机构,所述衬底传递机构用于将待抛光的衬底送到所述机头并接收已抛光的衬底。所述衬底传递机构包括用于接收待抛光衬底的待抛光衬底接收器和用于接收已抛光衬底的已抛光衬底接收器。
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公开(公告)号:CN1341277A
公开(公告)日:2002-03-20
申请号:CN00804252.7
申请日:2000-12-25
Inventor: 木村宪雄 , 三岛浩二 , 国泽淳次 , 小田垣美津子 , 牧野夏木 , 辻村学 , 井上裕章 , 中村宪二 , 松本守治 , 松田哲郎 , 金子尚史 , 森田敏行 , 早坂伸夫 , 奥村胜弥
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/67161 , B24B37/04 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , C23C18/1678 , C23C18/1692 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/12 , C25D17/14 , H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67219 , H01L21/67253 , H01L21/67742 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L2221/1089 , H05K3/423
Abstract: 本发明涉及半导体基片处理装置及处理方法,对在半导体基片上所形成的电路图形槽及/或孔用金属镀膜填充,通过保留该填充部分。除去该金属镀膜,形成电路布线。该半导体基片处理装置包括:放入取出部1,用于在干燥状态放入取出表面上形成电路的半导体基片;金属镀膜成膜单元2,用于在所放入的该半导体基片上形成金属镀膜;倾斜蚀刻单元116,用于腐蚀上述半导体基片的边缘部;研磨单元10、11,对该半导体基片上的该金属镀膜至少研磨一部分;及用于在上述单元之间传送上述半导体基片的机械手3、8。
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公开(公告)号:CN108878314B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN201810450204.3
申请日:2018-05-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开基板清洗装置。在一实施方式中,基板清洗装置具备:第一轴群,该第一轴群包含第一驱动轴和惰轮轴,该第一驱动轴具有使基板旋转的第一驱动辊,该惰轮轴具有通过基板而旋转的从动辊;第二轴群,该第二轴群包含多个第二驱动轴,该多个第二驱动轴分别具有使基板旋转的第二驱动辊;清洗机构,该清洗机构对通过第一驱动辊及多个第二驱动辊而旋转的基板进行清洗;以及旋转检测部,该旋转检测部对从动辊的转速进行检测,从动辊位于与基板通过清洗机构而受到力的方向相反的一侧。
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公开(公告)号:CN114846584B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202080090122.8
申请日:2020-12-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 清洗装置具备:多个辊,该多个辊保持基板的周缘部;旋转驱动部,该旋转驱动部通过驱动所述多个辊旋转而使所述基板旋转;清洗部件,该清洗部件与所述基板抵接而进行该基板的清洗;清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向所述基板供给清洗液;传声器,该传声器对由于所述基板的周缘部的切口与所述多个辊接触而产生的声音进行检测;以及旋转速度计算部,该旋转速度计算部基于由所述传声器检测的声音计算所述基板的旋转速度。
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公开(公告)号:CN114846584A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202080090122.8
申请日:2020-12-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 清洗装置具备:多个辊,该多个辊保持基板的周缘部;旋转驱动部,该旋转驱动部通过驱动所述多个辊旋转而使所述基板旋转;清洗部件,该清洗部件与所述基板抵接而进行该基板的清洗;清洗液供给喷嘴,该清洗液供给喷嘴向所述基板供给清洗液;传声器,该传声器对由于所述基板的周缘部的切口与所述多个辊接触而产生的声音进行检测;以及旋转速度计算部,该旋转速度计算部基于由所述传声器检测的声音计算所述基板的旋转速度。
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公开(公告)号:CN114570261A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202111421977.7
申请日:2021-11-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种清洗药液供给装置及方法。一个清洗装置中,可供给不同药液于基板,且浓度可变。所述装置具有:第一混合器,混合第一药液与稀释水并供给于将调整为所需流量及浓度的第一药液供给于第一位置的第一喷嘴;第二混合器,混合第一药液与稀释水并供给于将为所需流量及浓度的第一药液供给于第二位置的第二喷嘴;第一稀释水控制箱,控制供给第一及第二混合器的稀释水流量;第三混合器,混合第二药液与稀释水并供给于将调整为所需流量及浓度的第二药液供给于第三位置的第三喷嘴;第四混合器,混合第二药液与稀释水并供给于将调整为所需流量及浓度的第二药液供给于第四位置的第四喷嘴;以及第二稀释水控制箱,控制供给第三及第四混合器的稀释水流量。
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公开(公告)号:CN105097615B
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201510260527.2
申请日:2015-05-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种处理量比过去高且成本低而能够适当判定清洗部件的更换时期的基板清洗装置。基板清洗装置(1)具备:抵接于基板W而进行擦洗的清洗部件(2);保持清洗部件(2)的保持部件(6);产生将清洗部件(2)按压于基板W的力的气缸(8);测定保持部件(6)(的支臂7)位置的变位传感器(9);及基于保持部件(6)的位置判定清洗部件(2)的更换时期的控制装置(11)。保持部件(6)(的支臂7)的位置包含:清洗部件(2)抵接于基板W的清洗位置;及清洗部件(2)从基板W离开的非清洗位置。控制装置(11)根据连续擦洗多个基板W时的清洗位置的变化来判定清洗部件(2)的更换时期。
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公开(公告)号:CN106165067A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201580016524.2
申请日:2015-03-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。本发明的基板处理装置的特征在于,具备:第一清洗路径,其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第一清洗单元(52、54);第二清洗路径,其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第二清洗单元(60、62);第一纯水供给配管(120),将纯水供给至第一清洗路径;及第二纯水供给配管(180),将纯水供给至第二清洗路径。
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