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公开(公告)号：CN107097145B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201710096031.5
申请日：2017-02-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够将研磨垫的表面温度保持在所期望的目标温度的用于对研磨垫的表面温度进行调整的装置和方法。一种用于对研磨垫(3)的表面温度进行调整的装置，其具备：垫接触构件(11)，其可与研磨垫(3)的表面接触，且在内部形成有加热流路(61)和冷却流路(62)；加热液供给管(32)，其连接到加热流路(61)；冷却液供给管(51)，其连接到冷却流路(62)；第一流量控制阀(42)，其安装于加热液供给管(32)；第二流量控制阀(56)，其安装于冷却液供给管(51)；垫温度测定器(39)，其对研磨垫(3)的表面温度进行测定；以及阀控制部(40)，其基于研磨垫(3)的表面温度对第一流量控制阀(42)和第二流量控制阀(56)进行操作。
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公开(公告)号：CN112004640A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980026985.6
申请日：2019-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨装置及包含这种研磨装置的研磨系统，该研磨装置具备测定用于研磨半导体晶圆等基板的研磨垫的表面性状的表面性状测定装置。研磨装置具备：测定研磨垫(2)的表面性状的表面性状测定装置(30)；支承表面性状测定装置(30)的支承臂(50)；及与支承臂(50)连结，使表面性状测定装置(30)从待避位置自动移动至测定位置的移动单元(53)。
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公开(公告)号：CN106165067B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580016524.2
申请日：2015-03-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种将清洗液(例如纯水或药液)供给至晶片等的基板来处理基板的基板处理装置以及该基板处理装置的配管清洗方法。本发明的基板处理装置的特征在于，具备：第一清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第一清洗单元(52、54)；第二清洗路径，其包含将纯水供给至基板以清洗该基板的多个第二清洗单元(60、62)；第一纯水供给配管(120)，将纯水供给至第一清洗路径；及第二纯水供给配管(180)，将纯水供给至第二清洗路径。
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公开(公告)号：CN110076683A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910120242.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B55/03
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN105280525A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510306666.4
申请日：2015-06-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够与稀释比例的变更灵活地相对应，且能够抑制装置尺寸大型化的清洗药液供给装置、清洗药液的供给方法及清洗单元，清洗药液供给装置具有：第1直列式混合器，将第1清洗药液供给到清洗装置；第2直列式混合器，将第2清洗药液供给到基板清洗装置；第1药液CLC箱，对供给到第1直列式混合器的第1药液的流量进行控制；第2药液CLC箱，对供给到第2直列式混合器的第2药液的流量进行控制；以及DIWCLC箱，对供给到第1直列式混合器或第2直列式混合器的稀释水的流量进行控制，且清洗药液供给装置构成为：将稀释水的供给目的地从第1直列式混合器切换到第2直列式混合器，或从第2直列式混合器切换到第1直列式混合器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104772691A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510012026.2
申请日：2015-01-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B7/228 , B24B37/30 , B24B49/08 , Y10T137/7761
Abstract: 本发明提供一种压力控制装置，能够提高压力的稳定性及相对于输入信号的响应性这两方面。从压力指令值产生变化的时刻(t1)至PID控制开始点(t3)，PID控制部(5)停止补正指令值的生成，PID控制开始点(t3)后，PID控制部(5)生成补正指令值。从压力指令值产生变化的时刻(t1)至PID控制开始点(t3)，调节器控制部(8)对压力调整阀(6)的动作进行控制，以消除压力指令值与第1压力值之差，PID控制开始点(t3)后，调节器控制部(8)对压力调整阀(6)的动作进行控制，以消除补正指令值与第1压力值之差。
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公开(公告)号：CN104416451A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410424687.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
CPC classification number: B24B37/015 , B24B49/14 , B24B55/02 , G01J5/025 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN111829389B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010222040.6
申请日：2020-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地除去附着于热交换器的底面的污垢的清洗装置和研磨装置。本发明的清洗装置对调整研磨垫(3)的表面温度的热交换器(11)进行清洗。该清洗装置具备：使热交换器(11)在该热交换器(11)能够与研磨垫(3)进行热交换的温度调整位置与使该热交换器(11)从研磨垫(3)的表面分离的退避位置之间移动的移动机构(16)、以及清洗移动到退避位置的热交换器(11)的底面的清洗机构(10)。退避位置位于研磨垫(3)的侧方，清洗机构(10)包括向移动到退避位置的热交换器(11)的底面喷射清洗液的至少一个清洗液喷嘴(28A)或能够浸渍热交换器(11)的底面的清洗槽(60)。
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公开(公告)号：CN112004640B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201980026985.6
申请日：2019-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨装置及包含这种研磨装置的研磨系统，该研磨装置具备测定用于研磨半导体晶圆等基板的研磨垫的表面性状的表面性状测定装置。研磨装置具备：测定研磨垫(2)的表面性状的表面性状测定装置(30)；支承表面性状测定装置(30)的支承臂(50)；及与支承臂(50)连结，使表面性状测定装置(30)从待避位置自动移动至测定位置的移动单元(53)。
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公开(公告)号：CN113226641A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085450.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B08B3/02 , B24B49/12 , B24B55/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种为了一边研磨晶片等基板，一边测量基板的膜厚而使用的光学式膜厚测量系统的清洗方法。本方法在使用浆液研磨基板(W)之前或之后，向形成于研磨台(3)上的研磨垫(2)的通孔(51)供给冲洗液，以冲洗液清洗配置于通孔(51)的下方的光学传感头(7)，并从通孔(51)通过排放管线(54)排出冲洗液。
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