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公开(公告)号：CN113134785A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110042947.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。
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公开(公告)号：CN105479324B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510640665.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502‑1)的第1抛光头(500‑1)；以及安装有比第1抛光垫(502‑1)直径小的第2抛光垫(502‑2)的与第1抛光头(500‑1)不同的第2抛光头(500‑2)。
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公开(公告)号：CN110170920A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910539068.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B53/017 , H01L21/67 , B08B1/04 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供抛光处理组件、基板处理装置及抛光垫清洗方法。抛光处理组件具有：抛光台，该抛光台用于设置处理对象物；抛光头，该抛光头用于保持抛光垫，该抛光垫用于对所述处理对象物进行规定的处理；抛光臂，该抛光臂对所述抛光头进行支承并摆动；修整件，该修整件用于对所述抛光垫进行修整；以及清洗机构，该清洗机构配置在所述抛光台与所述修整件之间，用于对所述抛光垫进行清洗。
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公开(公告)号：CN108695205A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810286570.X
申请日：2018-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67219 , B24B37/046 , H01L21/67075 , H01L21/67023 , H01L21/67028 , H01L21/677
Abstract: 提供一种能够尽可能不产生催化剂的机械劣化的基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统。提供一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使催化剂与基板靠近或接触，从而对基板的被处理区域进行蚀刻，该基板处理装置具有：用于保持基板的基板保持部；以及用于保持催化剂的催化剂保持部，所述催化剂保持部具有：高刚性的基部板；与所述基部板相邻配置的压电元件；与所述压电元件相邻配置的高刚性的催化剂保持基部；以及保持于所述催化剂保持基部的催化剂、所述基板处理装置还具有用于控制向所述压电元件施加的驱动电压的控制装置。
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公开(公告)号：CN107851570A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043042.0
申请日：2016-07-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/67253 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种方法，是在处理液存在下，使基板与催化剂接触来处理基板。该方法具有：在用于高速处理基板的指定处理条件下对基板进行处理的步骤；及在同一基板的处理中，变更处理条件以低速处理基板的步骤。根据该方法，在基板处理程序途中，即使程序要求不同仍可进行最佳处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107107309A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680003000.4
申请日：2016-01-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/34 , B24B37/10 , H01L21/304
Abstract: 本发明以如下为一个课题：考虑小径的抛光垫从被研磨基板突出时在基板的边缘附近产生的压力集中，来进行抛光研磨量的模拟。根据本发明的一实施方式，提供一种研磨量的模拟方法，对使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨时的研磨量进行模拟，该研磨量的模拟方法具有以下步骤：依研磨垫相对于研磨对象物的突出量，使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布；及根据突出量及测定出的压力分布，修正用于研磨量的模拟的压力。
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公开(公告)号：CN105390417A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510532602.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抛光组件及基板处理装置，用于对基板进行抛光处理，该抛光组件具有：抛光台，该抛光台用于支承所述基板且该抛光台能够旋转；以及安装有抛光垫的一个抛光头，该抛光头构成为能够旋转，且构成为能够向靠近所述抛光台的方向及从该抛光台远离的方向移动，所述抛光垫具备第1部位与第2部位，所述第2部位在所述第1部位的外侧以包围所述第1部位的方式配置，所述第1部位与所述第2部位的特性相互不同。通过该抛光组件及基板处理装置能够抑制基板的损伤地进行研磨，或者，能够高效率地清洗去除粘性较大的异物等。
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公开(公告)号：CN101230481A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710181850.6
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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公开(公告)号：CN101101861A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710136701.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L21/768 , C25F7/00 , C25F3/00
Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。
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公开(公告)号：CN100346009C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03802888.3
申请日：2003-01-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。
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