公开(公告)号：CN111180516A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911081130.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。

公开(公告)号：CN107968115A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710970668.2

申请日：2017-10-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司 ,  渡边行彦 ,  浦上泰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。

公开(公告)号：CN109427906A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810952249.0

申请日：2018-08-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浦上泰 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板、上表面电极、下表面电极及经由栅极绝缘膜而设于沟槽内的栅电极。半导体基板具有与上表面电极接触的P型体层、介于体层与下表面电极之间的n型漂移层、沿着沟槽的底面设置的p型浮置区及沿着沟槽的侧面在体层与浮置区之间延伸的p型连接区。沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置连接区的第一区间及设置有连接区的第二区间。而且，第二区间中的沟槽的侧面的倾倒角度比第一区间中的沟槽的侧面的倾倒角度大。

公开(公告)号：CN108172508A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711192049.1

申请日：2017-11-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 吉田博之 ,  高桥一平 ,  浦上泰

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/043 ,  H01L21/042 ,  H01L21/304 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层。一种半导体装置的制造方法，包括：对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面露出的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。

公开(公告)号：CN108364861A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN103582723A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN111180516B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201911081130.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。

公开(公告)号：CN114556588A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101194.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  片冈惠太 ,  山下侑佑 ,  渡边行彦 ,  朽木克博 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

Abstract: 一种开关元件，具有沟槽型的多个栅极电极。半导体基板具有：n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与栅极绝缘膜相接；p型的体区域，在所述漂移区域的上侧与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个底部区域，配置于所述沟槽的正下方并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接。使相邻的所述底部区域之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离的一半比使体区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离以及使底部区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离长。

公开(公告)号：CN107241917B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201480009591.7

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  寒泽佑介 ,  浦上泰 ,  小林正和

IPC: H01L29/32 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

公开(公告)号：CN103582723B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。