公开(公告)号：CN103582723B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN103582723A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN107241917B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201480009591.7

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  寒泽佑介 ,  浦上泰 ,  小林正和

IPC: H01L29/32 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

公开(公告)号：CN107241917A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480009591.7

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  寒泽佑介 ,  浦上泰 ,  小林正和

IPC: H01L29/32 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

公开(公告)号：CN104024492A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280059156.6

申请日：2012-12-03

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及一种SiC单晶，其包含具有{0001}面内方向(主要与＜11-20＞方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A)。这样的SiC单晶是采用以下的方法得到的：从a面生长晶体切出高偏置角的c面生长籽晶，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内，从得到的c面生长晶体中切出低偏置角的c面生长晶体，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内。SiC晶片以及半导体器件由这样的SiC单晶得到。

公开(公告)号：CN104024492B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201280059156.6

申请日：2012-12-03

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC: C30B29/36

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及一种SiC单晶，其包含具有{0001}面内方向(主要与＜11‑20＞方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A)。这样的SiC单晶是采用以下的方法得到的：从a面生长晶体切出高偏置角的c面生长籽晶，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内，从得到的c面生长晶体中切出低偏置角的c面生长晶体，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内。SiC晶片以及半导体器件由这样的SiC单晶得到。

公开(公告)号：CN103635615A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280023709.2

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC: C30B29/36 ,  H01L29/161

CPC classification number: H01L29/30 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。

公开(公告)号：CN103635615B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280023709.2

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  浦上泰 ,  安达步

IPC: C30B29/36 ,  H01L29/161

CPC classification number: H01L29/30 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。