公开(公告)号：CN103582723B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。

公开(公告)号：CN103582723A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201280027744.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  重藤启辅 ,  浦上泰 ,  山田正德 ,  安达步 ,  小林正和

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/025 ,  C30B23/005 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。