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    半导体装置
    31.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN107924942A

    公开(公告)日：2018-04-17

    申请号：CN201680049102.X

    申请日：2016-08-08

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 河野宪司

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    Abstract: 一种半导体装置，具备半导体基板(10)，该半导体基板(10)具有：第1导电型的漂移层(11)、形成于漂移层的表层部的第2导电型的基极层(12)、以及形成于漂移层中的与基极层侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)以及第1导电型的阴极层(22)。将半导体基板中的作为IGBT元件动作的区域设为IGBT区域(1a)，并且将作为二极管元件动作的区域设为二极管区域(1b)，交替地重复形成有IGBT区域和二极管区域。IGBT区域和二极管区域由集电极层与阴极层的边界划分。将集电极层设为第1集电极层，半导体装置在半导体基板中的形成有第1集电极层以及阴极层的一侧的面上设置有第2导电型杂质浓度高于第1集电极层的第2集电极层。

    绝缘栅极半导体器件
    35.
    发明授权
    绝缘栅极半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102148239B

    公开(公告)日：2014-03-05

    申请号：CN201110036148.7

    申请日：2011-02-09

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 河野宪司 ,  都筑幸夫

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

    CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7394

    Abstract: 一种绝缘栅极半导体器件包括半导体衬底(10)、沟道区(13)、浮置区(18)、发射极区(14)、主体区(15)、空穴阻止层(19)以及发射极电极(21)。重复设置所述沟道区(13)和所述浮置区(18)，使得至少一个浮置区(18)位于相邻的沟道区(13)之间。所述发射极区(14)和所述主体区(15)位于每个沟道区(13)的表面部分中。所述主体区(15)深于所述发射极区(14)。所述空穴阻止层(19)位于每个浮置区(18)中，以将所述浮置区(18)划分为第一区(18a)和第二区(18b)。所述发射极电极(21)电连接至所述发射极区(14)和所述第一区(18a)。

    半导体器件
    36.
    发明公开
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102959705A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：CN201180032538.5

    申请日：2011-06-29

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 田边广光 ,  河野宪司 ,  都筑幸夫

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0722 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 公开了一种半导体器件，其中W3≥((k2·(Dτ)1/2)2-L12)^(1/2)；W2≥L1/K1/2（其中K≥2.5）；并且W2-W1≥10μm，其中L1是漂移层（1）的厚度，D是载流子扩散系数；τ是寿命，k1是基于IGBT（100）和FWD（200）的第一参数；k2是基于阱层（13）的第二参数；并且K是通过将k1乘以骤回电压与所述阱层和所述漂移层之间的内建电势的比而得到的值。W1是从所述阱层的外围端部投影在所述漂移层的背面上的位置到阴极区域（3）与集电极区域（2）之间的边界的距离；W2是从基极区域（4）之中的IGBT与FWD之间的边界到所述阱层的外围端部的距离；并且W3是从所述阱层与所述基极区域之间的边界投影在所述背面上的位置到所述阴极区域与所述集电极区域之间的边界的距离。从而随着当阱层是阳极时来自阱层的空穴注入增大，有可能减轻FWD的耐量的恶化，同时还通过使来自与阱层内的单元区域的边界邻近的区域的空穴到达来减轻本质上起阳极作用的区域的减小。

    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备
    37.
    发明公开
    包括绝缘栅双极晶体管和二极管的半导体设备 有权

    公开(公告)号：CN102832216A

    公开(公告)日：2012-12-19

    申请号：CN201210201479.6

    申请日：2012-06-15

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 都筑幸夫 ,  田边广光 ,  河野宪司

    IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

    Abstract: 半导体设备包括IGBT形成区域和二极管形成区域。IGBT形成区域包括用作IGBT的IGBT操作区段和不用作IGBT的减薄区段。IGBT操作区段包括沟道区域（4a），并且减薄区段包括第一阳极区域（4b）。二极管形成区域包括第二阳极区域（4d）。当将面密度定义为通过对沟道区域（4a）、第一阳极区域（4b）和第二阳极区域（4d）中的每一个区域中的第二导电型杂质的浓度分布曲线在深度方向上进行积分所计算的值时，沟道区域（4a）的面密度高于第一阳极区域（4b）的面密度和所述第二阳极区域（4d）的面密度。

    具有位于同一衬底上的IGBT和FWD的半导体器件
    38.
    发明授权
    具有位于同一衬底上的IGBT和FWD的半导体器件 失效

    公开(公告)号：CN101728386B

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN200910204074.6

    申请日：2009-10-12

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 河野宪司

    IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/861

    Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底(10)；包括集电极区(18)的IGBT元件(12，15，18)；包括与所述集电极区相邻的阴极区(19)的FWD元件(13，14b，19)；所述衬底上的基极层(11)；包括栅电极(12)的多个沟槽栅极结构(12)。所述基极层由所述沟槽栅极结构分成多个第一和第二区域。每个第一区域(13)包括接触所述栅电极的发射极区(15)。每个第一区域连同所述发射极区与发射极电极(17)电耦合。所述第一区域包括集电极侧和阴极侧第一区域，并且所述第二区域包括集电极侧和阴极侧第二区域(14a，14b)。所述阴极侧第二区域的至少一部分与所述发射极电极电耦合，并且所述集电极侧第二区域的至少一部分具有浮动电位。

    半导体器件
    39.
    发明公开
    半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102479788A

    公开(公告)日：2012-05-30

    申请号：CN201110380839.9

    申请日：2011-11-25

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 河野宪司 ,  田边广光 ,  都筑幸夫

    IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861

    CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

    Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面。所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)。在所述IGBT区中形成IGBT元件(100)。在所述二极管区中形成二极管元件(20)。第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)位于所述元件区周围的所述第一表面侧上。第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。第二导电类型的第三半导体区(523)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。

    绝缘栅极半导体器件
    40.
    发明公开
    绝缘栅极半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN102148239A

    公开(公告)日：2011-08-10

    申请号：CN201110036148.7

    申请日：2011-02-09

    Applicant: 株式会社电装

    Inventor： 河野宪司 ,  都筑幸夫

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

    CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7394

    Abstract: 一种绝缘栅极半导体器件包括半导体衬底(10)、沟道区(13)、浮置区(18)、发射极区(14)、主体区(15)、空穴阻止层(19)以及发射极电极(21)。重复设置所述沟道区(13)和所述浮置区(18)，使得至少一个浮置区(18)位于相邻的沟道区(13)之间。所述发射极区(14)和所述主体区(15)位于每个沟道区(13)的表面部分中。所述主体区(15)深于所述发射极区(14)。所述空穴阻止层(19)位于每个浮置区(18)中，以将所述浮置区(18)划分为第一区(18a)和第二区(18b)。所述发射极电极(21)电连接至所述发射极区(14)和所述第一区(18a)。

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