阴极单元
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105671500B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201610219410.4

    申请日:2011-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种阴极单元,该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。

    阴极单元
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105671500A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610219410.4

    申请日:2011-11-21

    CPC classification number: C23C14/3407 H01J37/34 H01J37/3435

    Abstract: 本发明公开了一种阴极单元,该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。

    阴极单元
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103459653B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201180069851.6

    申请日:2011-11-21

    CPC classification number: C23C14/3407 H01J37/34 H01J37/3435

    Abstract: 该阴极单元(220)用于成膜装置(200),包括:多个靶(C1、C2、C3),设置在成膜空间(50)内,并具有背板(204)、第一母材(205)、第二母材(206)和旋转轴(207),所述背板具有第一主面(204a)、第二主面(204b)、第一侧面(211)及第二侧面(212),多个旋转轴(207)以相互平行地排列的方式配置在同一平面内;多个控制部(E1、E2、E3),使所述旋转轴(207)旋转,并对所述靶(C1、C2、C3)施加用于溅射的电压;多个磁场生成部(H1、H2、H3),设置在靠近所述背板(204)的远离所述成膜空间(50)的表面的位置,使得在所述背板(204)的靠近所述成膜空间(50)的表面生成特定的分布磁场。

    成膜装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103283011B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201180062688.0

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 一种成膜装置,具备:L/UL室;H室,与L/UL室连通;SP室,与H室连通,并且被分割为独立的第一空间和第二空间;成膜单元,分别配置在第一空间及第二空间中;真空排气装置,独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中,并用于分别真空排气这些的内部;四条线路,由贯通L/UL室及H室,并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成;运送装置,将被处理体沿着去路或回路运送;以及移动机构,在第一空间及第二空间的内部,将运送装置从去路向回路移动。

    阴极
    37.
    发明授权
    阴极 有权

    公开(公告)号:CN103314129B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201180065037.7

    申请日:2011-11-18

    Abstract: 该阴极(120)用于成膜装置(100),包括:靶(C)、控制部(E)以及磁场生成部(H),所述靶(C)被设置在所述成膜空间(50)内,且具有:具有第一主面(104a、214a)、第二主面(104b、214b)、第一侧面(111)和第二侧面(112)的背板(104、214),第一母材(105),第二母材(106),以及从所述第一侧面(111)向所述第二侧面(112)贯通所述背板(104、214)的旋转轴(107);所述控制部(E)使所述旋转轴(107)旋转,经由所述旋转轴(107)对所述靶(C)供给用于溅射的电力;所述磁场生成部(H)被设置在与从所述成膜空间(50)远离的所述背板(104、214)的面靠近的位置,以在所述第一母材(105)或所述第二母材(106)生成漏磁通。

    真空处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:CN103882402A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410146888.X

    申请日:2008-11-26

    CPC classification number: C23C14/568 H01L21/67276 H01L21/67745

    Abstract: 本发明提供一种真空处理装置(1),其串联连接多个对于被处理基板(S)进行规定处理的处理室,其中,在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路(15)、和相对于第一基板输送路(15)并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路(16),并且,在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件(17)。

    溅射成膜装置
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102906303A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180027118.8

    申请日:2011-06-02

    Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材(211)的溅射面(231)的外周的防附着部件(251)由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置(261)在外周磁体(27a1)的外周整体进入溅射面(231)的外周的内侧的位置、和外周磁体(27a1)的外周的一部分伸出到溅射面(231)的外周的外侧的位置之间移动,一边在反应气体环境中对靶材(211)进行溅射。靶材(211)的溅射面(231)整体被溅射,所以不会在靶材(211)上堆积绝缘性的化合物,不会产生发弧。

Patent Agency Ranking