公开(公告)号：CN111683471B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202010161392.5

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 近藤将夫 ,  小屋茂树 ,  佐佐木健次

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/14 ,  H05K1/02

公开(公告)号：CN116581102A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310097476.0

申请日：2023-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 后藤聪 ,  青池将之 ,  筒井孝幸 ,  佐佐木健次

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在接合不同的部件的构造中，确保散热性，并且难以产生高频波放大电路的特性劣化、振荡。第二部件的第二面与第一部件的第一面对置。在第二部件中包含高频放大电路。通过配置在第一面与第二面之间的导电性的接合部件将第一部件和第二部件接合。高频放大电路包括：至少一个功率级晶体管；与功率级晶体管连接并向功率级晶体管供给输入信号的输入布线；和与输入布线连接，并包含无源元件、有源元件以及外部连接端子中的至少一个的输入侧电路单元。接合部件包括俯视时包含功率级晶体管的第一导体图案，在俯视时，输入侧电路单元配置在第一导体图案的外侧。

公开(公告)号：CN114078792A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110953784.X

申请日：2021-08-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 近藤将夫 ,  佐佐木健次 ,  小屋茂树

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H05K1/18

Abstract: 提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件。模块基板具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，设置了多个凸块的半导体芯片经由凸块安装于模块基板的上表面。模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方的第一金属膜。第一金属膜与凸块电连接，并且到达模块基板的侧面。金属部件的顶面部以模块基板的上表面为高度的基准配置在比半导体芯片高的位置。顶面部在俯视时包含半导体芯片。金属部件具有从顶面部朝向模块基板延伸的侧面部。侧面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。

公开(公告)号：CN108511411B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201810131080.2

申请日：2018-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  筒井孝幸 ,  大部功 ,  山本靖久

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/00

Abstract: 提供一种即便将保护电路组装到放大电路中也能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在基板形成包括半导体元件的放大电路。形成于基板的保护电路包括相互串联连接的多个保护二极管，并与放大电路的输出端子连接。焊盘导体层在至少一部分包括用于与基板的外部的电路连接的焊盘。俯视情况下，焊盘导体层与保护电路至少局部地重叠。

公开(公告)号：CN110912523A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910863427.7

申请日：2019-09-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  大部功 ,  筒井孝幸

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/19 ,  H03F1/10 ,  H03F1/30

Abstract: 本发明提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。

公开(公告)号：CN107026159A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611138294.X

申请日：2016-12-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次

IPC: H01L27/02 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，具备：第1放大晶体管，将第1信号放大并输出第2信号；以及偏置电路，对第1放大晶体管供给偏置电压或者偏置电流，第1放大晶体管包含形成于矩形区域的多个单位晶体管，偏置电路包含：第1偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第1组单位晶体管的基极供给第1偏置电压或者第1偏置电流；第2偏置晶体管，对多个单位晶体管中的第2组单位晶体管的基极供给第2偏置电压或者第2偏置电流；第1电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第1电压供给至第1偏置晶体管的基极；以及第2电压供给电路，将随着温度的上升而降低的第2电压供给至第2偏置晶体管的基极，第2电压供给电路形成于矩形区域的内部。

公开(公告)号：CN104347406B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410369333.1

申请日：2014-07-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/30612 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00

Abstract: 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16)，该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011]，且与短边方向正交的截面形状为倒台面型，与长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于集电极层(16)上的基极层(20)；形成于基极层(20)上的基极电极(22)；以及与基极电极(22)相连接，俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。

公开(公告)号：CN105655393A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510829130.0

申请日：2015-11-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  黒谷欣吾 ,  北原崇

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41708 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/13051 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/737 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体装置。在包括由多个单位晶体管构成的HBT的化合物半导体装置中，使热阻降低。化合物半导体装置具备包括多个单位晶体管的异质结双极晶体管和与多个单位晶体管的发射极电连接的凸块，多个单位晶体管沿第1方向排列，凸块在多个单位晶体管的发射极上沿第1方向延伸配置，多个单位晶体管中的至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向与第1方向垂直的第2方向上的一侧偏移配置，多个单位晶体管中的其他至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向第2方向上的另一侧偏移配置。