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    使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置
    31.
    发明公开
    使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113196666A

    公开(公告)日：2021-07-30

    申请号：CN201980082466.1

    申请日：2019-12-10

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 井上广树 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  深井修次 ,  赤泽史佳 ,  原田伸太郎 ,  长尾祥

    IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/094

    Abstract: 提供一种使用单极晶体管的半导体装置，其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。

    脉冲输出电路，移位寄存器，和电子设备
    32.
    发明授权
    脉冲输出电路，移位寄存器，和电子设备 失效

    公开(公告)号：CN101674068B

    公开(公告)日：2013-06-19

    申请号：CN200910204758.6

    申请日：2004-01-17

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 长尾祥 ,  棚田好文 ,  盐野入丰 ,  三宅博之

    IPC: H03K3/013 ,  H03K3/353 ,  G11C19/28 ,  G11C27/04 ,  G09G3/20

    CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0275 ,  G11C19/00

    Abstract: 一种显示装置驱动电路，包括单一导电类型的TFT，并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT，节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD-VthN)时，该节点α变为浮置状态。相应地，TFT105导通，当时钟信号变为高电平时，一个输出节点的电位升高。另一方面，当所述输出节点的电位升高时，由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高，从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD-VthN)。这样，输出节点的电位升高到VDD，而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103，势TFT103导通，同时节点α的电位()。结果，输出节点的电位变为低电平。

    脉冲输出电路、移位寄存器和显示器件
    36.
    发明授权
    脉冲输出电路、移位寄存器和显示器件 失效

    公开(公告)号：CN100397446C

    公开(公告)日：2008-06-25

    申请号：CN02119181.6

    申请日：2002-05-13

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 浅见宗广 ,  长尾祥 ,  棚田好文

    IPC: G09G3/26

    CPC classification number: G11C19/28 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/1333 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2330/021 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

    Abstract: 提供一种显示器件的驱动电路，仅包括单一导通的TFT，其中输出信号的幅值是标准的。向TFT101和104输入一个脉冲，使TFT导通，节点á的电位升高。当节点á的电位达到(VDD-VthN)时，节点á变成处于浮动状态。于是，当时钟信号到达电平H时，TFT105导通，输出节点的电位升高。另一方面，随着输出节点电位的升高，由于电容107的作用，TFT105的栅极电位进一步升高，使得输出节点的电位高于(VDD+VthN)。因此，输出节点的电位升高到VDD，而不会出现TFT105的阈值引起的电压下降。而后，后续级的输出被输入到TFT102和103，使TFT102和103导通，而节点á的电位下降，使TFT105关断。同时TFT106导通，使得输出节点的电位达到电平L。

    数－模转换电路和半导体器件
    37.
    发明公开
    数－模转换电路和半导体器件 失效

    公开(公告)号：CN1691124A

    公开(公告)日：2005-11-02

    申请号：CN200510065060.2

    申请日：2000-05-17

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 长尾祥

    IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/133 ,  H03M1/66

    CPC classification number: H03M1/0682 ,  H03M1/068 ,  H03M1/808

    Abstract: 本发明涉及制造面积减小的DAC和采用这种DAC的半导体器件。所公开的一种D/A转换电路包括：n个电阻器A0、A1、…、An－1：n个电阻器B0、B1、…、Bn－1；两根电源电压线即电源电压线L和电源电压线H，它们维持于相互不同的电位；n个开关SWa0、SWa1、…、SWan－1；n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn－1；和一根输出线，其中，所述的n个开关SWa0、SWa1、…、SWan－1和n个开关SWb0、SWb1、…、SWbn－1由从外部输入的n位数字信号控制，并且从输出线输出一个模拟灰度电压信号。

    脉冲输出电路，移位寄存器，和电子设备
    38.
    发明公开
    脉冲输出电路，移位寄存器，和电子设备 失效

    公开(公告)号：CN1518221A

    公开(公告)日：2004-08-04

    申请号：CN200410002830.4

    申请日：2004-01-17

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 长尾祥 ,  棚田好文 ,  盐野入丰 ,  三宅博之

    IPC: H03K3/013 ,  H03K3/353 ,  G09G3/20

    CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0275 ,  G11C19/00

    Abstract: 一种显示装置驱动电路，包括单一导电类型的TFT，并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT，节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD－VthN)时，该节点α变为浮置状态。相应地，TFT105导通，当时钟信号变为高电平时，一个输出节点的电位升高。另一方面，当所述输出节点的电位升高时，由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高，从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD－VthN)。这样，输出节点的电位升高到VDD，而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103，使TFT103导通，同时TFT102和106的节点α的电位下降，使得TFT105截止。结果，输出节点的电位变为低电平。

    半导体器件
    39.
    发明公开
    半导体器件 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN1384546A

    公开(公告)日：2002-12-11

    申请号：CN02118504.2

    申请日：2002-04-26

    Applicant: 株式会社半导体能源研究所

    Inventor： 浅见宗广 ,  长尾祥 ,  棚田好文

    IPC: H01L27/02 ,  G02F1/33 ,  G09G3/00

    CPC classification number: H01L29/786 ,  H03K19/01714 ,  H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极－源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD－GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

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