公开(公告)号：CN101438418B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780015170.5

申请日：2007-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  长谷川真也 ,  高桥秀和 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/14643 ,  Y02E10/50

Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。

公开(公告)号：CN101082521B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710108176.9

申请日：2007-05-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 広濑笃志 ,  荒尾达也

IPC: G01J1/44 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1443 ,  G01J1/1626 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明的半导体装置包括：第一光电二极管；被遮光的第二光电二极管；包含电压输出电路的第一电路群；第二电路群；校正电路，其中第一光电二极管的输出被输入到第一电路群的电压输出电路，第一电路群的输出被输入到校正电路，并且第二光电二极管的输出经过第二电路被输入到校正电路。通过在校正电路中，对每个这些输入进行加或减，来可以消除在第一光电二极管中的起因于温度的输出变动。注意，对第一光电二极管供给基准电位，以便输出开电压，并且对第二光电二极管供给使顺向偏压施加到第二光电二极管的电位。

公开(公告)号：CN100374938C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03120162.8

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/139 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/1396

Abstract: 在一对衬底间提供一个液晶层，该对衬底中的一个衬底配备有包含TFT和其中形成开口部分的光屏蔽层的像素区，构成TFT的半导体层与光屏蔽层重叠并沿开口部分的一侧被形成，并且液晶分子的排列被这样控制，使得穿透液晶层的光以垂直于开口部分的该侧的偏振光被入射。液晶层特别地由TN型液晶构成。

公开(公告)号：CN1877269A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610084883.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  西和夫 ,  菅原裕辅

IPC: G01J1/44 ,  H04N3/15

CPC classification number: G01J1/18 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4406 ,  G09G3/3611 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/101 ,  H01L31/105 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。

公开(公告)号：CN1667840A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510054713.7

申请日：2005-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  三宅博之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明提供了一种半导体元件，即使其衬底受热收缩影响极大，例如其衬底为大尺寸衬底，该元件的工作也不受影响。此外，本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外，即使出现轻微的掩模版偏移时，半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些，形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域，该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外，形成对应于各个栅电极的源区和漏区，使得电流流过各个栅电极相应沟道区的方向相反。另外，电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

公开(公告)号：CN1435864A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

Abstract: 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1319781A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01112073.8

申请日：2001-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区,且LDD区与第一栅电极重叠,栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN101233394B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN102176488B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110080669.2

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  荒尾达也

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1133 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。