公开(公告)号：CN100442556C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510098858.7

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿 ,  大桥健一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: 在一种半导体发光器件中，半导体发光部件具有其上形成有多个凸面结构的光提取表面。每个凸面结构具有构成折射指数梯度结构的锥形平台部分、构成衍射光栅结构的圆柱形部分、以及构成折射指数梯度结构的锥形部分。所述平台部分、圆柱形部分和锥形部分按此次序从光提取表面开始设置。凸面结构之间的周期大于发射波长的1/(外部介质的折射指数+凸面结构的折射指数)，且等于或小于发射波长。圆柱形部分的等效圆平均直径为平台部分底部的等效圆平均直径的1/3至9/10。

公开(公告)号：CN1763983A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510106305.1

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅川钢儿 ,  藤本明 ,  杉山仁 ,  大桥健一 ,  铃木启之 ,  户野谷纯一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。

公开(公告)号：CN1315246A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN00128595.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平冈俊郎 ,  浅川钢儿 ,  堀田康之

IPC: B32B5/18 ,  H01P11/00 ,  H01P5/00 ,  H01R9/00 ,  H01R11/01 ,  H05K1/11

CPC classification number: H05K3/4614 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G03F7/0002 ,  H01L2924/0002 ,  H01P1/2005 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/422 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10378 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括一多孔体和在该多孔体中填充有物质的大量区域的三维结构。为了形成光子谱带,填充有该物质的大量区域部分的平均节段为0.1－2μm。