-
公开(公告)号：CN102428560A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
-
公开(公告)号：CN102239558A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
-
公开(公告)号：CN101796640A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200980000536.0
申请日：2009-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 使上部电极和下部电极的形状移位变小了的非易失性存储元件的制造方法，具有以下的工序：按照具有导电性的连接电极层(4)、由非贵金属的氮化物构成且具有导电性的下部电极层(3)、电阻变化层(2)、由贵金属构成的上部电极层(1)以及掩模层(23)的顺序进行堆积；将掩模层(23)形成为规定的形状；以掩模层(23)为掩模，通过进行蚀刻，从而将上部电极层(1)、电阻变化层(2)以及下部电极层(3)形成为规定的形状；以及同时除去掩模层(23)和通过所述蚀刻而露出的连接电极层(4)的区域。
-
公开(公告)号：CN101636841A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiN x (x为正实数)构成。
-
公开(公告)号：CN1270323C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含按照2个存储器层夹持隧道层的方式沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1529910A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02812134.1
申请日：2002-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/224 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器，该存储器包含沿层厚方向积层的2个以上的存储器层与2个以上的隧道层，所述2个以上的存储器层串联电连接，第一层组的磁化反转所产生的阻抗变化与第二层组的磁化反转所产生的阻抗变化互不相同，其中第一层组是由从所述2个以上的存储器层选择的至少1个构成。
-
公开(公告)号：CN103460383A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016903.8
申请日：2012-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的电阻变化型的非易失性存储元件的制造方法包括：在基板（11）上形成下部电极层（2）的工序；在下部电极层（2）上形成由缺氧型的金属氧化物构成的电阻变化层（3）的工序；在电阻变化层（3）上形成上部电极层（4）的工序；以及在上部电极层（4）上形成掩模图案，并以掩模图案为掩模对上部电极层（4）、电阻变化层（3）及下部电极层（2）进行蚀刻而形成图案的工序；在蚀刻的工序中，至少在用于对电阻变化层（3）进行蚀刻的蚀刻气体中使用含有溴的气体。
-
公开(公告)号：CN103370790A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008882.5
申请日：2012-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 非易失性存储装置具备：存储器单元阵列（10），具有由电阻变化元件（141）和第1电流控制元件（142）构成的多个存储器单元（11）；以及电流控制元件参数产生电路（20），具有配置在基板（100）与第2层间绝缘层（105）之间的第3布线（203）、配置在第2层间绝缘层（105）上的第4布线（219）、在第3布线（203）与第4布线（219）之间通过将电阻变化元件（141）除去而不经由电阻变化元件（141）地与第3布线（203）及第4布线（219）连接、且具有与第1电流控制元件（142）相同的非线性电流控制特性的第2电流控制元件（242）。
-
公开(公告)号：CN103222055A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180035193.9
申请日：2011-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
-
公开(公告)号：CN101842897B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200880114293.9
申请日：2008-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L49/02
CPC classification number: H01L27/24 , H01L27/1021
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.029 seconds)
