公开(公告)号：CN1340854A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01123650.7

申请日：2001-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后,利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果,彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时,由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。

公开(公告)号：CN1075243C

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN95119333.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN102195629B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110043180.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  山际优人 ,  上本康裕 ,  柳原学

IPC: H03K17/72 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H03K17/12 ,  H03K2217/0009

Abstract: 提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用，包括：双向开关元件(103)，由III氮化物半导体构成，除具有使电流双向流动的构成以外，还使该电流的流动导通或断开，并且与交流电源及负载串联连接，且与交流电源及负载构成闭合电路；全波整流器(104)，对交流电源的电源进行全波整流；电源电路(105)，将全波整流后的电压平滑化后，提供直流电源；第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108)，将控制信号输出到双向开关元件；以及控制电路(106)，对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。

公开(公告)号：CN103620751A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280031197.4

申请日：2012-07-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大来英之 ,  上本康裕 ,  引田正洋 ,  竹田秀则 ,  佐藤高广 ,  西尾明彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7789 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7787

Abstract: 具备基板、形成在基板之上的第1氮化物半导体层（1）、层叠在第1氮化物半导体层（1）之上、比该第1氮化物半导体层（1）带隙大、开设有底部达到第1氮化物半导体层（1）而贯通的凹槽部的第2氮化物半导体层（2）、将凹槽部（11）的内壁和第2氮化物半导体层（2）覆盖而层叠、比第1氮化物半导体层（1）带隙大的第3氮化物半导体层（12）、在凹槽部（11）的上层形成在第3氮化物半导体层（12）上的栅极电极（5）、和分别形成在栅极电极（5）的两侧方的第1欧姆电极（4a）及第2欧姆电极（4b）。

公开(公告)号：CN102473647A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031046.X

申请日：2010-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法。氮化物半导体装置具有包括在基板(101)上依次形成的第一氮化物半导体层(104)及第二氮化物半导体层(105)的半导体层层叠体(103)。在半导体层层叠体(103)上选择性形成p型的第三氮化物半导体层(108)，在第三氮化物半导体层(108)上形成有栅电极(109)。在半导体层层叠体(103)上的第三氮化物半导体层(108)的两侧分别形成有第一欧姆电极(106)及第二欧姆电极(107)。第一栅电极(109)与第三氮化物半导体(108)进行肖特基接触。

公开(公告)号：CN102195502A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050229.2

申请日：2011-03-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井腰文智 ,  山际优人 ,  桥诘真吾 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H02M7/48 ,  H01L25/16 ,  H01L23/58 ,  H01L23/498

CPC classification number: H02P6/14 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H03K3/021 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 减少向电流驱动型的半导体装置的栅极的因寄生电感而引起的干扰噪声，使栅极驱动高精度化及稳定化。半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部，半导体元件具有：栅极电极焊盘(1)，形成在氮化物半导体层的层叠体上；欧姆电极焊盘(2)及(5)，连接端子部具有：与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6)；与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10)；与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7)；与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8)，栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接，栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接，将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。

公开(公告)号：CN102148227A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110032851.0

申请日：2011-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山际优人 ,  桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  柳原学 ,  上本康裕

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/8124 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够将保护元件的元件面积控制得较小并且能够简化复杂工序地实现电涌抗性较高的半导体装置。该半导体装置具备形成于第1元件区域(106A)上的第1晶体管(111)和包括在第2元件区域(106B)形成的第2晶体管(121)的第1保护元件。第2保护元件欧姆电极(123B)与第1保护元件栅极电极(115)连接，第1保护元件欧姆电极(123A)与第1欧姆电极(113A)连接，第1保护元件栅极电极(115)与第1保护元件欧姆电极(123A)和第2保护元件欧姆电极(123B)的至少一方连接。第2元件区域(106B)的面积小于第1元件区域(106A)。

公开(公告)号：CN100440542C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN1207770C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN01123650.7

申请日：2001-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后，利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果，彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时，由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。