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公开(公告)号：CN102324291A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110155887.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性低压压敏电阻及制备方法。现有压敏电阻体积大且不可弯曲，不能应用于柔性可弯曲的设备中。本发明的柔性低压压敏电阻为层状结构，依次包括柔性基板、下电极薄膜、ZnO薄膜和上电极薄膜，上、下电极薄膜表面分别连接有上、下电极引线；所述的柔性基板为PET薄膜，所述的上电极薄膜和下电极薄膜为Pt薄膜。具体制作方法是：在柔性基板一侧表面沉积一层Pt薄膜作为下电极薄膜；通过掩模技术遮挡部分下电极薄膜，在暴露部分沉积一层ZnO薄膜，并压焊下电极引线；在ZnO薄膜上沉积一层Pt薄膜作为上电极薄膜，并压焊上电极引线。本发明方法工艺简单，制作的柔性低压压敏电阻具有独特的柔性、延展性，能够弯曲。
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公开(公告)号：CN101693601A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910152889.4
申请日：2009-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化铜薄膜的制备方法。目前方法所用设备和工艺复杂，制备的薄膜面积尺寸小。本发明方法首先将三水合硝酸铜晶体溶于乙二醇溶剂配成硝酸铜溶液，将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，然后将乙二胺溶液加入到硝酸铜溶液中至pH值为5.5～6.5，形成混合溶液；将混合溶液在20～60℃条件下保温10～20小时形成溶胶；将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成氧化铜薄膜。本发明方法可以大面积镀膜，所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101402467A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810122107.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G21/21
Abstract: 本发明涉及一种制备单分散空心立方状硫化铅纳米晶的方法。本发明方法首先将醋酸铅、硫代乙酰胺、十二烷基磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵按摩尔比1～2∶2～3∶0.15～0.2∶0.2～0.3混合成反应物加入到去离子水中，搅拌均匀液，反应物与去离子水的质量比为1∶20～40；然后将反应溶液放入密闭的反应釜中，在90～110℃温度条件下反应8～16小时，冷却至常温后过滤、洗涤、干燥。本发明通过简单可控的水热反应制备出空心立方状硫化铅纳米晶。该方法原料廉价易得，工艺简单，成本低，产品纯度高，重复性好，有利于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN101172598A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710156063.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B25/45
Abstract: 本发明涉及一种碱式磷酸铁锂的制备方法。本发明以铁源化合物和酸式磷酸锂为原料，以简单有机物为催化剂，将原料和催化剂混合，然后在100℃～160℃下反应20分钟到10小时，就可以合成化学式为LixFemPO4(OH)的碱式磷酸铁锂，0.90≤x≤1.10，0.90≤m≤1.10。本发明中所用酸式磷酸锂可以采用常用方法获得。本发明所用的原料和催化剂都是常用廉价的化工原料，或可由常用廉价的化工原料制得，反应在较低的温度和常压下进行，所需设备简单，能耗小，因此产品的成本较低。
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公开(公告)号：CN101104548A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710067665.4
申请日：2007-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/35 , C01G19/02 , H01L21/203 , H01L31/00
Abstract: 一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料，其特征在于该薄膜材料的分子通式为AlxInySn1－x－yO2，其中X的取值范围为0.07～0.12，y的取值范围为0.15～0.26，且满足0.40≤X/y≤0.50；制造该薄膜材料采用下列工艺步骤：先用真空熔炼法制作铟铝锡合金靶材，然后用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积铟铝锡合金薄膜，再将沉积的合金膜在空气或氧气气氛中高温热氧化，从而获得低阻P型透明导电的二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：薄膜晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101077826A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710067666.9
申请日：2007-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C03C17/245 , C01G19/02 , H01L21/00
Abstract: 一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法，其特征在于：该薄膜材料的分子通式可表示为GaxInySn1－x－yO2，其中X的取值范围为0.09～0.15，y的取值范围为0.15～0.25，两者之比满足0.55≤X/y≤0.65；采用下列制造步骤：1)以纯度皆为99.99％的锡、铟、镓为原料，用真空融炼法制作铟镓锡三元合金磁控溅射靶材；2)取上述靶材，按常规直流磁控溅射工艺，在普通玻璃上沉积铟镓锡合金薄膜；3)将上述合金薄膜置于空气或氧气中，在400℃～550℃的情况下热氧化1～2小时，形成铟镓共掺的P型二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：导电薄膜材料晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。
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公开(公告)号：CN101058484A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710067663.5
申请日：2007-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/203 , H01L31/00
Abstract: 一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料，其特征在于：该氧化亚铜薄膜材料中氮的掺杂浓度为1×1015cm－3～5×1019cm－3，材料的晶相结构为单一的氧化亚铜相，其分子式为Cu2O:N；该薄膜材料采用直流反应磁控溅射法制成，衬底为普通载波片，靶材是纯度为99.99％的紫铜圆片，工作气体和反应气体分别为氩气和氧气、氮气，气体纯度皆为99.999％，氧气与氮气的流量比为3∶2，沉积室内背底压强为1.2×10－3Pa～1.0Pa，衬底温度为常温至100℃，溅射电压为400V，电流为50mA，功率为20W，薄膜沉积时间为20分钟。同现有技术比较，本发明的优点是：掺氮能有效抑制了电子导电的N型氧化铜相的形成，同时能大幅提高薄膜材料的空穴浓度，具有空穴浓度高，电阻率低，制造工艺简单，无毒性，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN101045612A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710067664.X
申请日：2007-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/35 , C01G30/00 , H01L21/203 , H01L31/00
Abstract: 一种制造P型透明导电的锡锑氧化物薄膜材料的方法，采用以下工艺步骤：1)利用金属锡和金属锑，制作锡锑合金块体，其中锡与锑重量比为1∶4～10∶2)把锡锑合金块体加工成磁控溅射靶材；3)利用锡锑合金靶材，在玻璃衬底上磁控溅射沉积锡锑合金薄膜；4)把合金薄膜放入热处理炉中氧化，氧化温度为400℃，氧化气体为空气或氧气，氧化时间为2小时。同现有技术比较，本发明的优点是：该P型透明导电薄膜材料的制造工艺简单，光电性能良好，是一种十分理想的P型透明导电的锡锑氧化物薄膜材料，具有制造工艺简单，透光性好，电阻率低，性能稳定可靠等优点。
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公开(公告)号：CN113008313A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110198550.9
申请日：2021-02-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有任意安装角度的流量计。现有的流量计只能竖直安装在管路中。本发明流量计座两端开有流量调节腔和流量控制腔，其中流量调节腔为与流量计座同轴的锥度腔，内设流量控制球。流量调节腔通过前盖封盖，流量控制腔通过后盖封闭。前盖开有流体出口通道，流量计座的侧壁开有流体入口通道。流量调节腔与流量控制腔通过螺纹管连通，丝杆的中部通过螺纹管与流量计座螺纹连接。丝杆的一端与流量控制球固定连接，另一端与磁钢座固定连接，磁钢座上设置有矩形磁钢。流量调节环套置在流量计座外，与流量控制腔位置对应，流量调节环的内侧设置有磁钢对，两个磁钢位置对称，极性相反。本发明控制和显示流量更加精确，密封性能更好。
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公开(公告)号：CN112982630A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110208783.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带有报警功能的防臭地漏。现有产品排水速度慢，管道容易堵塞。本发明包括控制盒、密封圈、安装板和漏水篮，密封圈设置在控制盒与安装板之间。控制盒内设置有串联的蜂鸣器、按钮开关、干簧管和电池。盒体侧壁开有通孔，通孔平行于盒体轴向开设；通孔内活动设置有滑杆，滑杆顶部固定设置有磁钢，滑杆带动磁钢上下移动。所述的干簧管靠近盒体内壁设置，位置与磁钢移动至低点时的位置对应。本发明可以有效防止下水管内的有害气体通过地漏倒灌进入室内，并且方便取出清理，主体浮起后排水流量大，不易堵塞，当发生水管泄漏等紧急情况时可以进行报警，避免造成财产损失。
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