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公开(公告)号：CN101058484A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710067663.5
申请日：2007-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/203 , H01L31/00
Abstract: 一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料，其特征在于：该氧化亚铜薄膜材料中氮的掺杂浓度为1×1015cm－3～5×1019cm－3，材料的晶相结构为单一的氧化亚铜相，其分子式为Cu2O:N；该薄膜材料采用直流反应磁控溅射法制成，衬底为普通载波片，靶材是纯度为99.99％的紫铜圆片，工作气体和反应气体分别为氩气和氧气、氮气，气体纯度皆为99.999％，氧气与氮气的流量比为3∶2，沉积室内背底压强为1.2×10－3Pa～1.0Pa，衬底温度为常温至100℃，溅射电压为400V，电流为50mA，功率为20W，薄膜沉积时间为20分钟。同现有技术比较，本发明的优点是：掺氮能有效抑制了电子导电的N型氧化铜相的形成，同时能大幅提高薄膜材料的空穴浓度，具有空穴浓度高，电阻率低，制造工艺简单，无毒性，成本低等优点。
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