公开(公告)号：CN101104548A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710067665.4

申请日：2007-03-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  黄奕仙

IPC: C03C17/245 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C01G19/02 ,  H01L21/203 ,  H01L31/00

Abstract: 一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料，其特征在于该薄膜材料的分子通式为AlxInySn1－x－yO2，其中X的取值范围为0.07～0.12，y的取值范围为0.15～0.26，且满足0.40≤X/y≤0.50；制造该薄膜材料采用下列工艺步骤：先用真空熔炼法制作铟铝锡合金靶材，然后用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积铟铝锡合金薄膜，再将沉积的合金膜在空气或氧气气氛中高温热氧化，从而获得低阻P型透明导电的二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：薄膜晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。

公开(公告)号：CN101077826A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710067666.9

申请日：2007-03-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  黄奕仙 ,  霍丽娟

IPC: C03C17/245 ,  C01G19/02 ,  H01L21/00

Abstract: 一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法，其特征在于：该薄膜材料的分子通式可表示为GaxInySn1－x－yO2，其中X的取值范围为0.09～0.15，y的取值范围为0.15～0.25，两者之比满足0.55≤X/y≤0.65；采用下列制造步骤：1)以纯度皆为99.99％的锡、铟、镓为原料，用真空融炼法制作铟镓锡三元合金磁控溅射靶材；2)取上述靶材，按常规直流磁控溅射工艺，在普通玻璃上沉积铟镓锡合金薄膜；3)将上述合金薄膜置于空气或氧气中，在400℃～550℃的情况下热氧化1～2小时，形成铟镓共掺的P型二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：导电薄膜材料晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。