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公开(公告)号：CN102324291A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110155887.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性低压压敏电阻及制备方法。现有压敏电阻体积大且不可弯曲，不能应用于柔性可弯曲的设备中。本发明的柔性低压压敏电阻为层状结构，依次包括柔性基板、下电极薄膜、ZnO薄膜和上电极薄膜，上、下电极薄膜表面分别连接有上、下电极引线；所述的柔性基板为PET薄膜，所述的上电极薄膜和下电极薄膜为Pt薄膜。具体制作方法是：在柔性基板一侧表面沉积一层Pt薄膜作为下电极薄膜；通过掩模技术遮挡部分下电极薄膜，在暴露部分沉积一层ZnO薄膜，并压焊下电极引线；在ZnO薄膜上沉积一层Pt薄膜作为上电极薄膜，并压焊上电极引线。本发明方法工艺简单，制作的柔性低压压敏电阻具有独特的柔性、延展性，能够弯曲。
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公开(公告)号：CN102324291B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110155887.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性低压压敏电阻及制备方法。现有压敏电阻体积大且不可弯曲，不能应用于柔性可弯曲的设备中。本发明的柔性低压压敏电阻为层状结构，依次包括柔性基板、下电极薄膜、ZnO薄膜和上电极薄膜，上、下电极薄膜表面分别连接有上、下电极引线；所述的柔性基板为PET薄膜，所述的上电极薄膜和下电极薄膜为Pt薄膜。具体制作方法是：在柔性基板一侧表面沉积一层Pt薄膜作为下电极薄膜；通过掩模技术遮挡部分下电极薄膜，在暴露部分沉积一层ZnO薄膜，并压焊下电极引线；在ZnO薄膜上沉积一层Pt薄膜作为上电极薄膜，并压焊上电极引线。本发明方法工艺简单，制作的柔性低压压敏电阻具有独特的柔性、延展性，能够弯曲。
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公开(公告)号：CN202110901U
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201120194977.3
申请日：2011-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01C7/10
Abstract: 本实用新型涉及一种柔性低压压敏电阻。现有压敏电阻体积大且不可弯曲，不能应用于柔性可弯曲的设备中。本实用新型的柔性低压压敏电阻为层状结构，依次包括柔性基板、下电极薄膜、ZnO薄膜和上电极薄膜，下电极薄膜完全覆盖柔性基板、ZnO薄膜部分覆盖下电极薄膜、上电极薄膜覆盖在ZnO薄膜上，上、下电极薄膜表面分别连接有上、下电极引线；所述的柔性基板为PET薄膜，所述的上电极薄膜和下电极薄膜为15～50nm厚的Pt薄膜，ZnO薄膜的厚度为10～100nm。本实用新型的柔性低压压敏电阻具有独特的柔性、延展性，能够弯曲。
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