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公开(公告)号：CN103887287B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201310712188.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。
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公开(公告)号：CN104871307A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201280077812.5
申请日：2012-12-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L27/0688 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间，在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈，在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈，它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时，在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
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公开(公告)号：CN102646628B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210097778.X
申请日：2007-10-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349932A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910645110.6
申请日：2014-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/16 , H01L27/06 , H01L27/12
Abstract: 使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。
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公开(公告)号：CN104795357B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510030429.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。提供了一种具有得到改善的可靠性半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成第一线圈。形成第二绝缘膜，以便用以覆盖第一绝缘膜和第一线圈。在第二绝缘膜之上，形成焊盘。在第二绝缘膜之上，形成具有使部分焊盘暴露出来的开口的多层膜。在多层绝缘膜之上，形成第二线圈。将第二线圈放置在第一线圈之上。第二线圈和第一线圈彼此磁耦合。多层膜包括二氧化硅膜、在二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在氮化硅膜之上的树脂膜。
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公开(公告)号：CN104871307B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201280077812.5
申请日：2012-12-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L27/0688 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间，在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈，在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈，它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时，在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
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公开(公告)号：CN104795357A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510030429.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L28/10 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/03462 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05155 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。提供了一种具有得到改善的可靠性半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成第一线圈。形成第二绝缘膜，以便用以覆盖第一绝缘膜和第一线圈。在第二绝缘膜之上，形成焊盘。在第二绝缘膜之上，形成具有使部分焊盘暴露出来的开口的多层膜。在多层绝缘膜之上，形成第二线圈。将第二线圈放置在第一线圈之上。第二线圈和第一线圈彼此磁耦合。多层膜包括二氧化硅膜、在二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在氮化硅膜之上的树脂膜。
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公开(公告)号：CN103887287A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310712188.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0617 , H01L27/1203 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/06102 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/4945 , H01L2924/10161 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。
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