一种制备Mn掺杂ZnO的方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108423707A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810316318.9

    申请日:2018-04-10

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备Mn掺杂ZnO的方法,属于材料制备技术领域。通过水热法制备Mn掺杂的ZnO粉体,以分析纯级的Zn(CH3COO)2·2H2O,Mn(CH3COO)2·4H2O作为反应源,将称量好的药品溶解在15ml的稀硝酸,搅拌20min,在透明溶液中逐滴滴入28wt%的氨水引起共沉淀,当pH值为10~11时清洗;然后,称量一定的KOH溶解在15ml的去离子水中,搅拌10min,将所得的KOH溶液倒入上述沉淀,连续搅拌1h;最后,将制备好的前驱液移至反应釜中,在120℃下反应16h,反应结束后,自然冷却至室温,所得样品用去离子水和无水乙醇反复清洗后将样品放入60℃的真空干燥箱中,得到所需样品进行表征。本发明的特点是:方法简单,成本低,产率高,对环境危害小,易于推广。

    一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法

    公开(公告)号:CN102205951B

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201110091772.7

    申请日:2011-04-13

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法,是通过以下工艺过程实现的:用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备,第一步,在CVD管式炉中,用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源,通入氨气(NH3)作为氮(N)源,反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列;第二步,在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂,在CVD管式炉中,用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列,其特点是:在微观上为纳米棒异质结阵列,在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。

    一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法

    公开(公告)号:CN101962177B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201010508431.0

    申请日:2010-10-15

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种溶剂热生长立方相CdTe纳米带的方法,是通过以下工艺过程实现的:将碲粉(Te)利用硼氢化钾(KBH4)还原成Te2-的溶液,然后依次加入Cd源和乙二胺水溶液,密封高温保存一天,反应完成后清洗样品,得到的黑色固体即立方相的碲化镉纳米带。本发明的特点是:方法简单,产率高,所制得的CdTe纳米带均匀性好,对环境危害小,易于推广且适合大规模的工业生产。

    一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN102432059A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110292468.9

    申请日:2011-09-29

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法,其特征在于通过以下工艺实现:称取一定量的Zn粉(99.9%),置于陶瓷舟内,将陶瓷舟推入内衬有石墨纸的石英管式炉中心;两端密闭,用机械泵抽至0.1Pa,通入氩气洗气30分钟,以10℃/Min的升温速率加热至800℃,同时在氩气管的入口接有一个玻璃瓶(体积2L),瓶内装有200ml丙酮,氩气在瓶内起泡将丙酮带入石英管与Zn蒸汽反应,氩气流量50sccm,反应2小时,自然冷却至室温;在下游管口处内衬石墨纸上收集样品。本发明的特点在于:工艺简单,无催化剂;产物物相、形貌可控;产量大,成本低,对环境无危害,易于推广。

    一种制备独立自支撑透明氮化铝纳米晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102154627A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110023303.1

    申请日:2011-01-21

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备独立自支撑透明氮化铝纳米晶薄膜的方法,是通过以下工艺过程实现的:将装有一定量无水AlCl3(纯度为质量百分比98%-99%)粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平管式炉气流方向上游距管口6cm-9cm处,在距陶瓷舟20cm-25cm处放置石英管、陶瓷片等作为产物收集器,密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa,Ar气保护下加热水平管式炉到760℃-900℃后,通入200sccm-300sccm的NH3气反应四小时,Ar气保护下自然冷却到室温,在收集器上得到独立自支撑透明氮化铝薄膜。本发明所制备薄膜为纤锌矿结构氮化铝,其特点是:在微观上为纳米晶阵列,在宏观上为独立、自支撑、透明的氮化铝薄膜。

    一种生长ZnSe单晶纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101693528B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200910113486.9

    申请日:2009-10-19

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa,加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是:所得的硒化锌单晶纳米线适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。

    一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法

    公开(公告)号:CN102912300B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210439190.8

    申请日:2012-11-07

    Applicant: 新疆大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法,是通过以下工艺过程实现的:将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制,先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源,并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底,密闭蒸发炉,当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa~2.0×10-2Pa,加热电流达到130A,保持15分钟,即可得到SnS纳米片。本发明的特点是:所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。

    超低温制备纯相BiFeO3
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104005079A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410257322.4

    申请日:2014-06-11

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明的目的在于通过在水溶液里添加低沸点的有机溶剂在100℃以下来提供压强,来进一步降低合成纯相BiFeO3的最低温度。本发明的特点是:在知道压强是合成纯相BiFeO3的决定因素后,而水作为溶剂,由于其沸点为100℃限制了进一步降低合成纯相的BiFeO3温度。首次通过添加低沸点的有机溶剂乙醇在90℃下合成了纯相BiFeO3。首次通过添加有机溶剂甲醇在80℃下合成了纯相BiFeO3。

    溶胶-凝胶工艺制备锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103145192A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201310105217.4

    申请日:2013-03-28

    Applicant: 新疆大学

    Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量,在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min,然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜,随后预退火,最后将薄膜退火,重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于:可以有效抑制铁酸铋中杂相生成;减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度;提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能;生产工艺简单,重现性好,成本低廉。

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