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公开(公告)号：CN117423694A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311743785.7
申请日：2023-12-19
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L29/778 , H01L21/8252
Abstract: 一种高频通流稳定的GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明保证了器件在高频和低频条件下具备同样的工作机制，解决了由于该部分原因造成的器件在高频条件下导通电阻上升的现象，使器件在高频和低频条件下导通电阻和通流能力更加稳定。
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公开(公告)号：CN117316986A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405654.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底、碳化硅外延层、正面电极金属；所述碳化硅外延层的顶面设有若干向下延伸的P区沟槽，所述P区沟槽内设有P型区；若干所述P型区之间设有N区沟槽；所述P型区内部设有欧姆接触金属；所述欧姆接触金属和碳化硅外延层上设有肖特基结接触金属；所述肖特基结接触金属的上方设有正面电极金属；所述碳化硅衬底和碳化硅外延层的导电类型均为N型。本发明可以通过形成两层不同掺杂浓度的外延层，来降低器件外延层的导通电阻，进一步提高器件通流能力。
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公开(公告)号：CN117316985A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311405651.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种碳化硅半导体器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括：PW区，位于所述沟槽处；NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内；PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下方；栅氧层，设置在相邻沟槽之间，位于所述碳化硅漂移层的顶面；Poly层，设置在所述栅氧层的顶面；隔离层，设置在所述Poly层上，并从侧部向下延伸至NP区；本发明一定程度上减小了N‑漂移层所带来的电阻，从而可降低体二极管的导通电阻，减少其在续流过程中产生的损耗。
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公开(公告)号：CN113239537B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110511688.X
申请日：2021-05-11
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/18
Abstract: 一种扩散片合金块的高周波加热功率确定方法。涉及半导体产品的高周波合金工艺技术领域，具体涉及一种扩散片合金块的高周波加热功率确定方法。包括以下步骤：1)通过若干扩散片和若干焊片的叠加，形成基准合金块，计算所述基准合金块的热容量Qa；2)对所述基准合金块进行不同加热功率实验，根据合金块的品质确定适用的加热功率P1；3)通过若干扩散片和若干焊片的叠加，形成目标合金块，计算所述目标合金块的热容量Qb；4)计算修正系数K，#imgabs0#其中，m为所述目标合金块中的扩散片数量，n为所述基准合金块中的扩散片数量；5)确定所述目标合金块的加热功率P2:#imgabs1#本发明节省了人力物力，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115831745A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211516914.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种垂直导电沟道增强型Si基GaN‑HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，在外延片上制备延伸至Si衬底的U型槽；S200，在U型槽的内侧壁从下而上依次制备P型Si和N型Si；S300，在U型槽的槽底制备第一隔离层；S400，在U型槽内，第一隔离层的上方制备多晶硅，将U型槽填满；S500，从多晶硅的顶面的边缘处向下刻蚀，形成垂直向下延伸至P型Si侧的隔离腔，并在隔离腔内制备第二隔离层；S600，在多晶硅的上方制备栅电极；S700，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极；S800，背面处理，并制备源电极。本发明器件的SiO2薄膜深宽比小，对工艺要求更小，工艺更加简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115718268A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211688886.4
申请日：2022-12-28
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 一种快速筛选分立器件高温漏电的方法。涉及二极管漏电管控方法。包括以下步骤：S100，获得二极管VF‑Tj关系曲线；S200，测试温下二极管的的VF1值；S300，测试出常温下二极管的IR1值；S400，给二极管通大电流加热；S500，测试出高结温下二极管的IR2；S600，测试出高结温下二极管的VF2；S700，根据Tj给定筛选范围。本发明采用一种快速筛选分立器件高温漏电的方法，并根据此方法搭建一个电路，电路中通过控制四个开关的状态，分别组成三个回路（分别为IR测试回路，VF测试回路，Ifp加热回路），以实现快速筛选器件高温漏电的目的。
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公开(公告)号：CN113871297A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111129720.4
申请日：2021-09-26
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/28 , C09K13/00
Abstract: 一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法。涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种不损伤栅氧的多晶硅剥离方法。本发明使用29%氨水进行Poly（多晶硅）去除，取代原有硅腐蚀液（HNO3+HF+HAc+H2O）进行Poly层去除，氨水去除Poly层的同时不腐蚀SiO2，返工风险极低，有很好的去除Poly层，保留SiO2的效果。本发明具有不腐蚀SiO2，降低返工风险，提高多晶硅层去除质量等特点。
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公开(公告)号：CN110164801B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910486698.5
申请日：2019-06-05
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体缺陷剔除方法。本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体缺陷剔除方法。提供了一种利用半导体温度敏感特性，抓住缺陷部位和其它部位的载流子浓度对温度敏感程度存在较大差异的特点，可靠剔除微缺陷器件的半导体缺陷剔除方法。本发明在工作中，先对半导体施加正向电流，提升半导体结温；结温提升的情况下对半导体施加反向浪涌，可有效剔除常温下无法测试出的带有缺陷的半导体器件，可有效降低半导体失效率，提升半导体器件可靠性。
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公开(公告)号：CN112768358A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011638927.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法。涉及氮化镓功率半导体器件。本发明中通道层、电流阻挡层孔径、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向导通型氮化镓HEMT器件结构或者仅有垂直漂移区的垂直导通型氮化镓HEMT器件结构，本发明中的漂移区路径总长度大于制作在相同尺寸的基板及外延层上的横向导通型器件结构或者垂直导通型器件结构的氮化镓HEMT中漂移区路径的长度，由此增大氮化镓HEMT器件的阻断电压。本发明具有提高器件的阻断电压，同时使器件的栅极电极、源极电极、漏极电极汇集于其结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于实现器件的平面集成以及在功率集成电路中的应用。
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公开(公告)号：CN112259455A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011118002.2
申请日：2020-10-19
Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。本发明涉及一种半导体钝化技术领域，尤其涉及一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。提供了一种改善湿法金属腐蚀残留异常的一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法。本发明TiAlNiAg比现有技术TiNiAg更好腐蚀，金属残留主要是Ni残留，残留的Ni氧化导致腐蚀较难，NiAg腐蚀后即使有少量Ni残留，在后续腐蚀Al的过程中也能将Ni去除干净，TiNiAg中在腐蚀Ti的时候不能将Ni腐蚀掉。本发明具有改善湿法金属腐蚀残留异常，提高产品合格率和外观质量等优点。
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