公开(公告)号：CN103035683B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210320857.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  牧山刚三 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

公开(公告)号：CN104766882A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410820297.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  朱雷 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。

公开(公告)号：CN104064594A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410056424.X

申请日：2014-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H02M3/33569 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。一种半导体器件，包括：氮化物半导体多层；布置在氮化物半导体多层上的绝缘膜；以及布置在绝缘膜上的栅电极，其中氮化物半导体多层具有在与绝缘膜的在栅电极下方的区域的界面附近的第一氧化区域，该第一氧化区域的氧浓度高于在与绝缘膜的除在栅电极下方之外的区域的界面附近的区域的氧浓度。

公开(公告)号：CN103329273A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180064898.3

申请日：2011-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66196 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。

公开(公告)号：CN101661937A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170974.3

申请日：2009-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 镰田阳一 ,  冈本直哉

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H03F3/04 ,  H04B1/02

CPC classification number: H01L23/4821 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：沿第一方向延伸的第一布线，以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二布线，该第二布线设置为在该第一布线和该第二布线之间插入有一间隔，并且该第二布线包括钽层、在所述钽层上方形成的氮化钽层以及在所述氮化钽层上方形成的金属层。

公开(公告)号：CN101506958A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680055684.9

申请日：2006-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28247 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：半导体层叠结构，其包括由氮化物半导体构成的载流子传输层；栅电极，其与所述载流子传输层中的沟道区域对应地形成于所述半导体层叠结构上，并在第一侧具有第一侧壁面，在第二侧具有第二侧壁面；绝缘膜，其直接形成于所述栅电极上，覆盖所述第一侧壁面和第二侧壁面中至少一方；第一欧姆电极，其形成于所述半导体层叠结构上的所述栅电极的所述第一侧；第二欧姆电极，其形成于所述半导体层叠结构上的所述栅电极的所述第二侧；和钝化膜，其包括第一部分和第二部分，该第一部分从所述第一欧姆电极朝向所述栅电极延伸，以便覆盖所述半导体层叠结构的表面中的所述第一欧姆电极与所述栅电极之间的区域，该第二部分从所述第二欧姆电极朝向所述栅电极延伸，以便覆盖所述半导体层叠结构的表面中的所述第二欧姆电极与所述栅电极之间的区域，所述绝缘膜至少与所述第一和第二钝化膜部分接触、且具有与所述钝化膜不同的成分。

公开(公告)号：CN106133198B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480077715.5

申请日：2014-04-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: C25B3/04 ,  C25B9/00

Abstract: 本发明涉及光合成装置。该光合成装置具有：槽部，其被形成于半导体基板；第1导电型区域，其在上述半导体基板中被形成于上述槽部的一方的侧面；第2导电型区域，其在上述半导体基板中被形成于上述槽部的另一方的侧面；氧化电极，其以与上述槽部的一方的侧面中的上述第1导电型区域接触的方式形成；还原电极，其以与上述槽部的另一方的侧面中的上述第2导电型区域接触的方式形成；以及质子隔壁膜，其被形成于上述槽部的中央部分，向上述槽部供给含有二氧化碳的水，通过向上述氧化电极或者上述还原电极照射光，在上述氧化电极从水生成氧与氢离子，被生成的氢离子透过上述质子隔壁膜，在上述还原电极与二氧化碳反应生成甲酸。

公开(公告)号：CN104779140B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201510178598.8

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源。一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。

公开(公告)号：CN103168362B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080069639.5

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层（2）、与GaN层（2）的Ga面形成肖特基接合的阳极电极（4）以及位于阳极电极（4）的至少一部分与GaN层（2）之间的InGaN层（3）。

公开(公告)号：CN103875073B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180074074.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/151 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含具有使多个量子点层（8）层叠而成的结构的漂移层（2），所述量子点层（8）具有含有InxGa1-xN（0≤x≤1）的量子点（6）以及埋置量子点、含有n型Inx（GayAl1-y）1-xN（0≤x≤1、0≤y≤1）的埋置层（7）。